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光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率,其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制,特别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ,其在9μm具有Si-O吸收带,因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口,则此性质不重要。 如果需要FZ,可以提供没有这种吸收的浮区材料。
硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。
硅通过Czochralski拉伸技术(CZ)生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况,硅可以通过浮区(FZ)工艺制备。 光学硅通常轻掺杂(5~40 Ohm cm),以在10um以上的波段zui佳透射。 硅具有30至100um的另一通带,其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼(p型)和磷(n型)。
透射范围: |
1.215μm(1) |
折射率: |
3.4223 @5μm(1)(2) |
反射损耗: |
46.2%(5μm)(2个表面) |
吸收系数: |
0.01cm -1 at 3μm |
吸收峰: |
n / a |
dn / dT: |
160×10-6 /℃(3) |
dn /dμ= 0: |
10.4μm |
密度: |
2.33g / cc |
熔点: |
1420℃ |
热导率: |
273.3W m-1 K-1 |
热膨胀: |
2.6×10 -6 /℃ at 20℃ |
硬度: |
Knoop 1150 |
比热容: |
703JKg-1K-1 |
介电常数: |
13 at 10GHz |
杨氏模量(E): |
131GPa(4) |
剪切模量(G): |
79.9GPa(4) |
体积模量(K): |
102GPa |
弹性系数: |
C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80(4) |
表观弹性极限: |
124.1MPa(18000 psi) |
泊松比: |
0.266(4) |
溶解性: |
不溶于水 |
分子量: |
28.09 |
类别/结构: |
立方钻,Fd3m |
光谱透射曲线:
折射率:(No = Ordinary Ray)
um |
No |
um |
No |
um |
No |
1.357 |
3.4975 |
1.367 |
3.4962 |
1.395 |
3.4929 |
1.5295 |
3.4795 |
1.660 |
3.4696 |
1.709 |
3.4664 |
1.813 |
3.4608 |
1.970 |
3.4537 |
2.153 |
3.4476 |
2.325 |
3.4430 |
2.714 |
3.4358 |
3.000 |
3.4320 |
3.303 |
3.430 |
3.500 |
3.4284 |
4.000 |
3.4257 |
4.258 |
3.4245 |
4.500 |
3.4236 |
5.000 |
3.4223 |
5.500 |
3.4213 |
6.000 |
3.4202 |
6.500 |
3.4195 |
7.000 |
3.4189 |
7.500 |
3.4186 |
8.000 |
3.4184 |
8.500 |
3.4182 |
10.00 |
3.4179 |
10.50 |
3.4178 |
11.04 |
3.4176 |
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Product Code SIFZPRISM25.4-BREW
IR Polished Silicon (Si) brewster angle prism
25.4 x 14 x 18mm brewster angle (73.98°) prism.