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产品详情
SI APD雪崩光电探测器
AD100-8 TO

圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求，两种TO52类型可供选择。

产品特点：

■ APD具有0.008mm2的有效面积

■ 100μm直径有效面积

■ 低偏置电压时的高增益

■ 快速上升时间，低电容

■ zui佳增益：50-60

绝对zui大额定值：

符号

参数

zui小值

zui大值

单位

TSTG

Storage temp

-55

125

℃

TOP

Operating temp

-40

100

℃

Mmax

Gain （IPO=1 nA）

-200

 

 

IPEAK

Peak DC current

 

0.25

mA

光电参数@23℃：

符号

特性

测试条件

zui小值

典型值

zui大值

单位

 

有效区域

 

直径 100

um

 

有效区域

 

0.00785

mm2

ID

暗电流

M=100

 

0.05

0.1

nA

C

电容

M=100

 

0.5

 

pF

 

响应

M=100；λ=800nm

45

50

 

A/W

tR

上升时间

M=100；λ=905nm；RL=50

 

 

0.18

ns

 

截止频率

-3dB

2

 

 

GHz

VBR

击穿电压

IR=2uA

80

 

160

v

 

温度系数

VBR随时间变化

0.35

0.45

0.55

V/K

 

过大噪声因素

M=100

 

2.2

 

 

 

过大噪声指数

M=100

 

0.2

 

 

光谱响应图（M=100）：

量子效应（23℃）                                      电容为反偏压（23°C）                

乘积作为偏压（23°C，60℃）                   暗电流为偏压（23℃，60℃）

应用提示：

■ 电流应受到电源内部的保护电阻或电流限制 - IC限制

■ 对于低光照应用，应使用环境光的遮挡

■ 对于高增益应用，偏置电压应进行温度补偿

■ 处理时请考虑基本的ESD保护

■ 使用低噪声读出 - IC

■ 有关更多问题，请参阅文档“处理和处理说明”

■ zui佳增益：50-60


封装图：

包装尺寸：少量：泡沫垫，盒装（12厘米x 16.5厘米）


产品应用：

■ 激光测距仪

■ 高速光度测定

■ 高速光通信

■ 医用器材