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产品详情
芯片封装定制

筱晓(上海)光子技术汇集了来自加拿大Norcada的芯片制造和光电子领域的资深专家,拥有一流的半导体加工、器件封装和测试设备,可为用户提供工艺开发、芯片和器 件制造等服务。微纳加工设备主要包括传统光刻工艺、全息干涉光刻系统、硅基和化合物半导体刻蚀工艺以及各种介质和金属材料薄膜制备等,可针对特征尺寸在微 纳尺度的各种结构和器件进行稳定可靠的工艺实现;具备先进完善的纳米尺度材料和器件结构的表征测试能力,配备有扫描电子显微镜、探针扫描台阶仪和光学薄膜 厚度仪等测试分析手段;器件封装方面,拥有芯片切割、端面抛光、金丝绑线、高精度贴片、平行封焊、共晶焊、推拉力测试和氦质谱检漏分析能力。

加工形式从单步工艺到光电器件的开发制造及封装测试。我们的代工还包括定制服务。如各类掩模板的设计定制;光学和封装夹具设计定制;光电测试板设计检测;光电模块设计检测等。

*主要代工服务项目如下:

半导体工艺加工

器件组封装

测  量

♦ 光刻
♦ 等离子干法蚀刻
♦ 感应耦合干法蚀刻
♦ 深硅蚀刻
♦ 电子束金属蒸镀
♦ 等离子增强化学气相沉积
♦ 低压化学气相沉积
♦ 干法及湿法氧化
♦ 湿法蚀刻及清洗

♦ 晶圆切割
♦ 芯片研磨及抛光
♦ 金丝焊接
♦ 高精度贴片
♦ 共晶炉
♦ 平行缝焊
♦ 等离子清洗

♦   测量型显微镜
♦   膜厚测量仪
♦   扫描电镜
♦   推拉力测量仪
♦   氦质谱检漏仪

半导体工艺加工:

 

光刻

可提供稳定的线宽控制和均匀性良好的光刻工艺。 
 ♦  传统光刻工艺:
  最大加工6寸晶圆片;
  分辨率达到0.7µm
  正面对准精度0.5µm,背面对准精度1.0µm
  正胶及负胶工艺;剥离光刻。
 ♦  激光干涉曝光工艺:
     最小线宽80nm

► 等离子刻蚀

美国Plasma-Therm公司深硅蚀刻DSE设备、加工III-V化合物半导体的感应耦合ICP蚀刻设备、等离子蚀刻RIE设备。
 ♦  深硅蚀刻:最大加工6寸晶圆片;深宽比601;形貌90+/-2o;侧壁粗糙度<20nm;均匀性<3%
 ♦  感应耦合蚀刻:最大加工4III-V化合物半导体晶圆片;侧面粗糙度<20nm
 ♦  等离子蚀刻:最大加工8寸晶圆片;针对SiO2Si3N4等介质膜。

电子束蒸发

提供Ti, Pd, Ni, Cr, Al, and Au等金属的蒸镀,

镀膜纯度大于99.999%,均匀性小于3%

最大可进行四层金属的镀膜。

 

 

 

 

 

 

等离子增强
 化学气相沉积

低温快速沉积,

提供SiO2Si3N4等介质膜沉积,

最大加工6寸晶圆片,

具有良好的膜厚稳定性及均匀性。

 

 

低压化学
  气相沉积

提供低应力及高覆盖性的Si3N4薄膜的积,应力可控制在100MPa200MPa之间,均匀性<4%。

 

器件组封装:

晶圆切割

提供高精度半自动晶圆切割工艺,

最大加工6寸硅基及玻璃圆片,

Y轴步进精度2µm/160mm

Z轴重复精度0.2µm /50次。

 

 

芯片研磨及抛光

自动芯片研磨抛光机,抛光表面粗糙度<10nm,表面平整度<80nm,平行度<0.017°

 

金丝焊接

手动金丝球焊机,

可提供金线直径0.8-2mil 的焊接工艺。

线弧长度范围0-2.5mm

焊点落差范围0–2mm

 

 

 

高精度贴片

贴片精度:0.5µm

贴片压力0~400N

 

 

 

 

 

共晶炉

最大升温速度200℃/分;最大降温速度120℃/温控精度±5.0℃

 

 

平行缝焊

 应用范围:电阻焊接、铜焊、锡焊;
 适用形状:圆形或方形;
 工件尺寸:3mm - 203mm
 可供气体:氮气、氮+氦气、氮+氧气、压缩空气+氦气;
 氧气监控范围:0 - 1000PPM25%
 湿气探测范围:0 - 150PPM或露点探测;
 氦气监控范围:0 - 20%

测量:

► 膜厚测量仪

膜厚测量范围:200 Å~35µm
标配物镜:5×, 10×
样品台:150 x 120 mm
可进行多层透明介质薄膜厚度测量。

 

 

 

 

►  扫描电镜

二次电子像分辨率:0.6nm
背散射电子分辨率:1.5nm
放大倍率:25× ~ 1,000,000×

 

 

 

 

 

   台阶仪

垂直测量范围:524µm
扫描长度:50µm 55mm
最大样品厚度:90mm,直径:150mm
6.55µm 测量范围内,精度可达1 Å

 

 

 

 

►  推拉力
   
测量仪

拉力测试:0-100g;推球测试:0-5kg
剪切力测试:0-100kg
 

 

►  氦质谱
   
检漏仪

内置IDP-3 检漏仪专用涡旋干泵;1000ppm 氦背景下,最小检漏5×10-13Pa m3 / hr;测试口最高耐压1330Pa;响应时间< 0.5s;执行标准:UL/CSA, CE

 

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