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THz晶体
GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb
材料 |
InP |
InSb |
InP: Fe |
InP:Zn |
GaP |
GaAs:Te |
GaAs:Zn |
GaAs 多晶 |
阻抗, om.cm |
0.03 - 0.2 |
- |
1x106 - 2x107 |
- |
- |
- |
- |
- |
直径 |
- |
- |
1,011 - 1,2511 |
1,011 - 1,2511 |
- |
12,511 |
1,511 |
- |
轴向 |
(100), (111) |
(100), (111) |
(100), (111) |
(100), (111) |
(100), (111) |
-100 |
- |
- |
载流子浓度 , cm-3 |
(0.8 - 2.0) x 1015 |
(8 - 30) x 1013 |
- |
(0.2 - 1.0) x 1018 |
(4 - 6) x 1016 |
2 x 1017 |
1.0 x 1019 |
2 x 1015 |
灵敏度 cm2/V.Sec |
3500 - 4000 |
- |
- |
50 -70 |
- |
4500 |
- |
5200 |
生长技术 |
- |
可参杂 |
- |
- |
可参杂 |
- |
Cz |
Bridjman |
筱晓光子技术有限公司的德国合作方之一 MolTech公司生产和经销各类激光晶体,包括作为激光活性物质的晶体,光学器件晶体,各种单晶,非线性光学晶体!现在我公司把MolTech公司的部分用于THz产生的非线性晶体介绍给中国的科研界客户。
THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn
其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管,它能够发出绿光。
InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备,其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。
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