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产品详情

THz晶体

GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb

详细参数

材料

InP

InSb

InP: Fe

InP:Zn

GaP

GaAs:Te

GaAs:Zn

GaAs 多晶

阻抗, om.cm

0.03 - 0.2

-

1x10- 2x107

-

-

-

-

-

直径

-

-

1,011 -

 1,2511

1,011 -

 1,2511

-

12,511

1,511

-

轴向

(100), (111)

(100), (111)

(100), (111)

(100), (111)

(100), (111)

-100

-

-

载流子浓度

, cm-3

(0.8 - 2.0)

x 1015

(8 - 30)

x 1013

-

(0.2 - 1.0)

x 1018

(4 - 6)

x 1016

2 x 1017

1.0 x 1019

2 x 1015

灵敏度

cm2/V.Sec

3500 - 4000

-

-

50 -70

-

4500

-

5200

生长技术

-

可参杂

-

-

可参杂

-

Cz

 Bridjman

产品简介:

筱晓光子技术有限公司的德国合作方之一 MolTech公司生产和经销各类激光晶体,包括作为激光活性物质的晶体,光学器件晶体,各种单晶,非线性光学晶体!现在我公司把MolTech公司的部分用于THz产生的非线性晶体介绍给中国的科研界客户。
THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn
其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管,它能够发出绿光。
InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备,其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。
详细的产品信息请向我公司咨询!

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