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■ 平面正照结构
■ 快速响应
■ 低暗电流
■ 高响应度
■ 高可靠性
参数 |
符号 |
测试条件 |
典型值 |
单位 | ||||||
光敏面直径 |
Φ |
|
0.2 |
0.5 |
1.0 |
2.0 |
4.0 |
mm | ||
光参数 |
光谱响应范围 |
λ |
|
400~1100 |
nm | |||||
响应度 |
Re |
VR=40V,λ=1060nm |
0.20 |
0.20 |
0.20 |
0.23 |
0.23 |
A/W | ||
响应时间 |
tr |
VR=40V, RL=50Ω |
2 |
5 |
6 |
|
12 |
nS | ||
电参数 |
暗电流 |
ID |
VR=40V |
1 |
5 |
7 |
10 |
40 |
nA | |
反向击穿电压 |
VBR |
IR=10μA |
80 |
100 |
80 |
100 |
100 |
V | ||
电容 |
Cj |
f=1MHz,VR=40V |
0.5 |
0.7 |
1.2 |
4.5 |
12 |
pF | ||
工作电压 |
VR |
|
40 |
V | ||||||
管座型号 |
|
|
T0-5 |
T0-5 |
T0-5 |
T0-5 |
T0-8 |
| ||
饱和光功率lb0.3w/cm2 |
◆ 器件在反向偏置条件下工作。.
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击,以免光窗损坏。
◆ 在贮运、使用过程中须静电防护,以免器件失效。
器件在反向偏置条件下工作,当光照时,半导体吸收光,在耗尽层或离耗尽层一个扩散长度内产生电子-空穴对,zui后被电场分开。当载流子漂移通过耗尽层时,在外部电路中形成光电流,从而实现光电转换。
产品应用:
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