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■ 低暗电流
■ 高均匀性、高对称性
■ 高可靠性
■ 盲区小
参数 |
符号 |
测试条件 |
典型/单元 |
单位 | ||
光敏面直径 |
Φ |
|
MP111 |
MP112 |
μm | |
光参数 |
光谱响应范围 |
λ |
|
0.4-.1.1 |
| |
响应度 |
Re |
VR=40V,λ=1060nm VR=40V,λ=900nm |
0.2 0.45 |
0.2 0.45 |
A/W | |
响应时间 |
tr |
VR=40V |
6 |
8 |
| |
电参数 |
暗电流 |
ID |
VR=40V |
10 |
10 |
|
反向击穿电压 |
VBR |
IR=10μA |
80 |
80 |
| |
电容 |
Cj |
f=1MHz,VR=40V |
5 |
8 |
| |
工作电压 |
VR |
|
40 |
V | ||
管座型号 |
|
|
TO-8型 |
|
◆ 器件在反向偏置条件下工作。.
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击,以免光窗损坏。
◆ 在贮运、使用过程中必须采取静电防护措施,以免器件失效。
器件是反向偏置的半导体二极管阵列,由于器件是象限化的,因此当被测物体的光幅射到器件各个象限的辐射通量相等时,则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时,由于象限间辐射通量的变化,引起各个象限的输出光电流的变化,由此可测出物体的方位,从而起到跟踪、制导的作用。
产品应用:
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