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产品详情
四象限Si PIN光电探测器  MP111/112
产品特点:

■ 低暗电流
■ 高均匀性、高对称性
■ 高可靠性
■ 盲区小

详细参数
技术指标(Ta=23℃)

参数

符号

测试条件

典型/单元

单位

光敏面直径

Φ

 

MP111

MP112

μm

光参数

光谱响应范围

λ

 

0.4-.1.1

 

响应度

Re

VR=40V,λ=1060nm

VR=40V,λ=900nm

0.2

0.45

0.2

0.45

A/W

响应时间

tr

VR=40V

6

8

 

电参数

暗电流

ID

VR=40V

10

10

 

反向击穿电压

VBR

IR=10μA

80

80

 

电容

Cj

f=1MHz,VR=40V

5

8

 

工作电压

VR

 

40

V

管座型号

 

 

TO-8

 

特性曲线
外型图及使用简图(管脚皆为背面示意图)
注意事项:

器件在反向偏置条件下工作。.
使用中防止剧烈震动、冲击,以免光窗损坏。
在贮运、使用过程中必须采取静电防护措施,以免器件失效。

产品原理:

器件是反向偏置的半导体二极管阵列,由于器件是象限化的,因此当被测物体的光幅射到器件各个象限的辐射通量相等时,则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时,由于象限间辐射通量的变化,引起各个象限的输出光电流的变化,由此可测出物体的方位,从而起到跟踪、制导的作用。

产品应用:


激光瞄准、制导跟踪及探索装置
激光微定位、位移监控等精密测量系统

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