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InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm,φ75μm, φ300μm,φ500μm,φ800μm,φ1000μm,φ3000μm,φ5000μm等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
■ 平面正照结构
■ 低暗电流
■ 高均匀性
■ 高可靠性
参数 |
符号 |
测试条件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
单位 | |
光敏面直径 |
Φ |
|
4×1500 |
μm | |||
光参数 |
光谱响应范围 |
λ |
|
900~1700 |
nm | ||
响应度 |
Re |
VR=10mV,λ=1.3μm,φe=100μw |
0.85 |
0.90 |
|
A/W | |
VR=10mV,λ=1.3μm,φe=100μw |
0.90 |
0.95 |
| ||||
响应线性饱和功率 |
|
VR =10m V |
3 |
|
|
mW | |
电参数 |
暗电流 |
ID |
VR=10mV |
|
0.2 |
1.0 |
nA |
反向击穿电压 |
VBR |
IR=10μA |
50 |
|
|
V | |
电容 |
C |
f=1MHz,VR=10mV |
|
|
300 |
pF | |
分流电阻 |
Rsh |
|
30 |
|
|
MΩ |
|
zui大额定值 |
单位 |
|
zui大额定值 |
单位 |
工作电压 |
5 |
V |
功耗 |
10 |
mW |
正向电流 |
10 |
mA |
工作温度 |
-40~100 |
℃ |
焊接条件 |
260℃,10秒 |
存储温度 |
-45~120 |
℃ |
◆ 器件在零偏下使用。
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击,以免器件损坏。
◆ 在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。
◆ 在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施,以免器件失效。
■ 激光导引头
■ 激光经纬仪
■ 光电跟踪
■ 定位,光电准直仪器等。