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产品详情

InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T

产品简介:

基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm,φ75μm, φ300μm,φ500μm,φ800μm,φ1000μm,φ3000μm,φ5000μm等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。

产品特点:

■ 平面正照结构

■ 低暗电流

■ 高均匀性

■ 高可靠性

参数详情:
参数性能(Ta=23℃):

参数

符号

测试条件

zui小

典型

zui大

单位

光敏面直径

Φ

 

4×1500

μm

光参数

光谱响应范围

λ

 

9001700

nm

响应度

Re

VR=10mV,λ=1.3μmφe=100μw

0.85

0.90

 

A/W

VR=10mV,λ=1.3μmφe=100μw

0.90

0.95

 

响应线性饱和功率

 

VR =10m V

3

 

 

mW

电参数

暗电流

ID

VR=10mV

 

0.2

1.0

nA

反向击穿电压

VBR

IR=10μA

50

 

 

V

电容

C

f=1MHz,VR=10mV

 

 

300

pF

分流电阻

Rsh

 

30

 

 




zui大额定值


 

zui大额定值

单位

 

zui大额定值

单位

工作电压

5

V

功耗

10

mW

正向电流

10

mA

工作温度

-40~100

焊接条件

26010

存储温度

   -45~120


封装、管壳框图及管脚接法 (单位:mm)
特性曲线:
使用方法及注意事项:

器件在零偏下使用。
使用中防止剧烈震动、冲击,以免器件损坏。
在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。
在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施,以免器件失效。

产品应用:

激光导引头

激光经纬仪

光电跟踪

定位,光电准直仪器等。