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InGaAs PIN光电二极管MPGD4961T
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
■ 快响应时间
■ 金属化单模尾纤封装
■ 低暗电流
■ 高响应度、高可靠性。
参数 |
符号 |
测试条件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
单位 | |
光参数 |
光谱响应范围 |
λ |
|
900~1700 |
nm | ||
响应度 |
Re |
VR=5V,λ=1.3μm,φe=100μw |
|
0.85 |
|
A/W | |
VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw |
|
0.90 |
| ||||
3dB带宽 |
BW |
λ=1.3μm,RL=50Ω, start from 133MHz |
4 |
|
|
GHz | |
线性响应饱和功率 |
Φs |
VR =5V, RL=50Ω |
2 |
|
|
mW | |
光回波损耗 |
ORL |
|
30 |
|
|
dB | |
响应时间 |
tr |
VR=5V, RL=50Ω |
|
|
0.1 |
ns | |
电参数 |
暗电流 |
ID |
VR=5V |
|
0.5 |
1.0 |
nA |
工作电压 |
VR |
D.C. |
|
5.0 |
|
V | |
反向击穿电压 |
VBR |
IR=10μA |
50 |
|
|
V |
|
zui大额定值 |
单位 |
|
zui大额定值 |
单位 |
工作电压 |
10 |
V |
功耗 |
10 |
mW |
正向电流 |
10 |
mA |
工作温度 |
-40~85 |
℃ |
焊接温度 |
260(10秒) |
℃ |
存储温度 |
-40~85 |
℃ |
◆ 器件在反向偏置 5V下工作。
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击,以免透镜损坏。
◆ 在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。
◆ 在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施,以免器件失效。
■ 光纤通信
■ 数据/图象传输
■ 激光通信、激光雷达
■ 其他应用如快速光脉冲检测。
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