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InGaAs PIN光电二极管MPGT322D
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
■ FC、SC 尾纤连接器
■ 快响应时间
■ 低暗电流
■ 高响应度,高可靠性。
参数 |
符号 |
测试条件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
单位 | |
光敏面直径 |
Φ |
|
60 |
μm | |||
光参数 |
光谱响应范围 |
λ |
|
900~1700 |
nm | ||
响应度 |
Re |
VR=10mV,λ=1.3μm,Φe=100μW |
0.85 |
0.90 |
|
A/W | |
VR=10mV,λ=1.55μm,Φe=100μW |
|
0.95 |
| ||||
响应线性饱和功率 |
|
VR =5V |
3 |
|
|
mW | |
响应时间 |
tr |
VR=5V, RL=50Ω |
|
|
0.3 |
ns | |
电参数 |
暗电流 |
ID |
VR=5V |
|
0.2 |
0.7 |
nA |
反向击穿电压 |
VBR |
IR=10μA |
60 |
|
|
V | |
电容 |
C |
f=1MHz,VR=5V |
|
0.5 |
0.7 |
pF | |
工作电压 |
VR |
D.C. |
|
5 |
|
V |
|
zui大额定值 |
单位 |
|
zui大额定值 |
单位 |
工作电压 |
15 |
V |
功耗 |
10 |
mW |
正向电流 |
10 |
mA |
工作温度 |
-40~100 |
℃ |
焊接条件 |
260℃,10秒 |
存储温度 |
-45~120 |
℃ |
◆ 器件在反向偏置 5V下工作。.
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击,以免透镜损坏。
◆ 在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。
◆ 在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施,以免器件失效。
■ 光纤通信
■ 数据/图象传输
■ 光纤传感应用
■ 其他应用如快速光脉冲检测
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