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产品详情

InGaAs PIN光电二极管MPGT3563T

产品简介：

基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。

产品特点：

■ 平面正照结构

■ 低暗电流

■ 高响应度

■ 高可靠性、宽光谱响应范围。


参数详情：
参数性能（Ta=23℃）：

参数

符号

测试条件

zui小

典型

zui大

单位

光敏面直径

Φ

 

3000

μm

光参数

光谱响应范围

λ

 

900～1700

nm

响应度

Re

VR=10mV,λ=1.3μm，Φe=100μW

0.80

 

 

A/W

VR=10mV,λ=1.55μm，Φe=100μW

0.85

 

 

响应线性饱和功率

 

VR =10mV, Φ8μm单模光纤光斑

1

 

 

mW

电参数

暗电流

ID

VR=10mV

 

 

30

nA

反向击穿电压

VBR

IR=10μA

5

 

 

V

电容

C

f=1MHz,VR=10mV

 

 

1.5

nF

分流电阻

Rsh

VR=10mV,φe=0

0.5

 

 

MΩ

备注

光电参数指标可以按用户要求。


zui大额定值


 

zui大额定值

单位

 

zui大额定值

单位

工作电压

0.5

V

zui大耗散功率

100

mW

正向电流

10

mA

工作温度

-40~70

℃

焊接温度

260(10秒)

℃

存储温度

   -40~85

℃


封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)
标准封装：TO-5。
其他封装：按用户要求定制。
特性曲线：
使用方法及注意事项：

◆ 器件在零偏下使用。
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。
◆ 在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。
◆ 在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

产品应用：

■ 光功率计量、测量、监控

■ 激光几何特性、光谱特性测量

■ 自由空间光探测、接收

■ 工业监控、医用等应用。

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