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Ge锗光电二极管

锗 Ge 大光敏面PIN光电二极管近红外 800-1800nm

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

产品型号	产品名称	光谱响应范围	光敏面直径	响应度	其他参数
GE-10X10-TO9	Ge 锗超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）	800-1800nm	10mm	@1550nm 0.85 A/W	加入询价单
GE-5X5-TO8	Ge 锗大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 5mm）	800-1800nm	5mm	@1550nm 0.85 A/W	加入询价单