795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW

795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

产品特点：包装: 裸片，芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器，激光波长: 795nm，辐射剖面: 单模 ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

应用领域：原子钟，磁力计

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产品型号

V00145-Group4

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主要参数

通用参数

相对光谱发射 1)

包装

可选配置表

核心参数


795nm

尺寸图

Vixar模具图纸：孔径数量

我们目前有以下标准部件可供样品和批量生产

标准产品组合 – 低功耗芯片

型号	波长	模具细节	建议Max. 峰值功率 CW，100% DC	注意	数据表
单模
V00145	795nm	0.16 mm x 0.20 mm 单孔径	0.15mW	线宽<100MHz，+/-0.5nm 偏振稳定	V00145_数据表
V00140	895nm	0.16 mm x 0.20 mm 单孔径	0.2mW	线宽<100MHz，+/-0.5nm 偏振稳定	V00140_数据表
多模
V00146	680nm	0.22 mm x 0.22 mm 单孔径	7mW	可见光，效率提高，非高斯光束形状偏振稳定	V00146_数据表

标准产品组合 – 高功率芯片 – 850 nm

型号	模具细节	建议Max. 峰值功率 CW，100% DC	建议Max. 峰值功率 100 μs，1% DC	建议Max. 峰值功率 5 ns，0.1% DC	数据表
V00151	0.52 mm x 0.52 mm 100 个孔径	0.5W	1W	5W	V00151_数据表
V00027	0.87 mm x 0.87 mm 281 个孔径	2W	6W	13W	V00027_数据表
V00124	0.90 mm x 1.00 mm 550 个孔径	3W	9W	35W	V00124_数据表
V00029	1.26 mm x 1.26 mm 770 个孔径	4W	12W	36W	V00029_数据表
V00133	1.99 mm x 1.99 mm 1672 个孔径	6W	20W	78W	V00133_数据表

标准产品组合 – 高功率芯片 – 940 nm

型号	模具细节	建议Max. 峰值功率 CW，100% DC	建议Max. 峰值功率 100 μs，1% DC	建议Max. 峰值功率 5 ns，0.1% DC	数据表
V00059	0.87 mm x 0.87 mm 281 个孔径	2W	6W	13W	V00059_数据表
V00081	0.90 mm x 1.00 mm 550 个孔径	3W	8W	35W	V00081_数据表
V00156	0.90 mm x 1.00 mm 550 孔径多结 (3J)	4W	12W	110W	V00156_数据表
V00063	1.26 mm x 1.26 mm 770 个孔径	4W	11W	36W	V00063_数据表
V00132	1.99 mm x 1.99 mm 1672 个孔径	6W	20W	76W	V00132_数据表

VCSEL低功耗芯片GaAs 795nm Max. 额定值

Ta = 80°C

参数	符号		值
操作/焊接温度 DC = 100%	T_S	Min. 值 Max. 值	-20°C 110°C
储存温度	T_stg	Min. 值 Max. 值	-40°C 125°C
正向电流（保持单模）直流操作; DC = 100%; T_S = 75°C	I_f	Max. 值	1.5 mA
正向电流直流操作; DC = 100%; T_S = 75°C	I_f	Max. 值	3mA
反向电压	不适合反向操作
ESD耐电压 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)	V_ESD	Max. 值	250 V

注意:超出jue对Max. 额定值范围的应力可能会对设备造成永jiu性损坏。

特征

Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3

参数	符号		值
正向电流	V_F	典型值	1.8 V
输出功率	Φ	典型值	0.13 mW
阈值电流	I_th	典型值	0.75 mA
斜率效能	SE	典型值	0.21 W / A
单模抑制比	SMSR	Min. 值	20 dB
偏振消光比5)	PER	Min. 值	15 dB
峰值波长	λ_peak-v	Min. 值典型值 Max. 值	794.5 nm 795 nm 795.5 nm
光谱线宽度	Λlinewidth	Max. 值	100 MHz
调频调制带宽	F_m	Min. 值	3.4 GHz
波长温度系数	TCλ	典型值	0.055 nm / K
半峰全宽处视场(50% of Φmax)	φ_x φ_Y	典型值典型值	12° 12°
1/e²处视场	φ_x φ_Y	典型值典型值	20° 20°

注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。