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MP5541Y 型InGaAs 四象限雪崩探测器
产品特点:
■ 正照平面型芯片结构
■ 象限间隔小、象限间串扰低、响应度均匀性好
■ 眼安全激光制导、定位、导航、测距等应用
工作电压 |
0.99×VBR |
工作温度 |
-50~+85℃ |
耗散功率 |
100mW |
正向电流 |
10mA |
贮存温度 |
-55~+100℃ |
焊接温度(时间) |
260℃(10s) |
特性参数 |
符号 |
测试条件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
单位 |
光谱响应范围 |
λ |
— |
1000~1700 |
nm |
||
光敏面直径 |
φ |
— |
1000 |
μm |
||
象限间隔 |
|
— |
100 |
μm |
||
响应度 |
Re |
λ=1.55um,φe=1uw, M=10 |
9.0 |
9.5 |
|
A/W |
zui大可用增益 |
M |
|
20 |
|
|
|
象限串扰 |
SL |
M=10 |
|
|
10% |
|
响应时间 |
ts |
f=1MHz,RL=50Ohm |
|
1.5 |
3.0 |
ns |
暗电流 |
ID |
M=10 |
|
25 |
100 |
nA |
反向击穿电压 |
VCC |
IR=100uA |
|
|
60 |
V |
电话 |
|
|
|
12 |
15 |
pF |
恒增益工作电压温度系数 |
δ |
Tc=-40~+85℃
|
|
0.10 |
0.15 |
V/℃ |
1、该器件要有温度反馈工作电压控制
2、贮运、使用注意静电保护措施