MPB2X5 新型双卤化物激光晶体

MPb2X5族晶体(M=K, Rb = Cl, Br): RE是一种新型激光活性介质，其波长范围从紫外到中红外不等，可用于二极管泵浦的TV放大器。这种材料具有高稀土偏析系数。

60FC-L-4-M100-26 超大口径光纤准直器（可见光波段）

60FC系列光纤准直器设计用于准直出射光纤电缆的辐射，具有高指向稳定性。它们也可以在反向模式下用作光纤耦合器。它们适用于单模和保偏光纤电缆，从而产生高斯强度分布的准直光束。请注意，对于多模准直，强度分布不是高斯分布，取决于特定的光纤和辐射特性

Mg:SLN 掺镁铌酸锂棱镜 标准1型 (非线性晶体)

Mg:SLN 棱镜是产生太赫兹的关键器件 用于GaN外延生长的新型衬底晶体

Mg:SLN 太赫兹掺镁铌酸锂棱镜 高功率型 (非线性晶体)

Mg:SLN 棱镜是产生太赫兹的关键器件 用于GaN外延生长的新型衬底晶体

Mg:SLN 太赫兹掺镁铌酸锂棱镜 大口径型 (非线性晶体)

Mg:SLN 棱镜是产生太赫兹的关键器件 用于GaN外延生长的新型衬底晶体

FC/APC接口中红外光纤准直器（1800-3000nm）

60FC系列光纤准直器设计用于准直存在于光纤电缆中的辐射，具有高指向稳定性。它们也可以在反向模式下用作光纤耦合器。它们适用于单模和保偏光纤电缆，从而产生高斯强度分布的准直光束。请注意，对于多模准直，强度分布不是高斯分布，取决于某些光纤和辐射特性。

1500-1600nm 超高低损耗平凹反射镜 12.7X6.35mm

损耗极低的激光光学器件，对于要求极低损耗的镀膜光学器件应用, 筱晓光子可提供R > 99.995 %、总损失小于10 ppm的反射镜。此类超级反射镜片可用于环形激光器陀螺仪组件或光腔衰荡应用。 对超抛光基材加工低吸收、低散射镀膜时，我们会采用改进型IBS镀膜机。而为了保证清洁度，此类机器会存放在专用的超清洁室内，并且与生产相关的基材预处理和后期处理流程全部在此清洁室内完成。 此外，超清洁室内还配置有多种测量设备，如检测流程所使用的白光表面光度仪和高分辨率显微镜。利用定制光腔衰荡设置可以确定反射量（精度可达小数点后四位）以及损耗。 而测定以上数值必须使用表面粗糙度小于< 1 Å rms的超抛光基材。为了保证反射镜成品的品质，还会使用白光表面光度仪进行质量检测

IR级抛光氟化钡（BaF2）60° 色散棱镜 0.15-12um 25.4 x 25.4 x 25.4mm

氟化钡能很好应用于光谱组件。 氟化钡通常适用于无源IR波段（8~14μm）的应用，通常用作热成像的窗片。 对于相同厚度，比氟化钙的透射范围进一步延伸到IR中大约1mm。 主要用于IR应用，并注意到具有IR抛光的视窗可能在由低纯度BaF 2晶体制成的VUV中具有受限的透射性能。 氟化钡通过真空Stockbarger技术生长。 与CaF2不同，BaF2不以天然状态存在，并且所有材料必须化学合成，使得BaF2生产相对昂贵。氟化钡容易裂开，对热冲击非常敏感。它抛光好可以蚀刻。不是所有的晶体都是由zui高等级的化学品制造的; 对于IR级光学器件，较低规格是足够的并且降低了成本，然而在UV和VUV中的透射受到限制。zui高纯度的氟化钡VUV材料可以被认为是快闪烁级。

PP-LBGO 周期性极化LaBGeO5晶体

PP-LBGO (Periodically-poled LaBGeO5)周期性极化的LaBGeO5晶体 用于紫外线应用的新型QPM器件 PP-LBGO 可以解决传统非线性器件（LBO、BBO 和 CLBO）的吸湿和双折射离散等问题。

IR抛光硅Si布鲁斯特角棱镜 73.98°

(IR Polished Silicon (Si) brewster angle prism)光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ，可以提供没有这种吸收的浮区材料。

IR抛光硅（Si）ATR 梯形棱镜 （衰减全反射）52 x 20 x 2mm

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ，可以提供没有这种吸收的浮区材料。

IR抛光硅（Si）ATR 梯形棱镜 （衰减全反射） 80 x 10 x 4mm

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ，可以提供没有这种吸收的浮区材料。