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1000-1200nmSOA二极管

概述

1、基本定义

基于InGaAs/InP材料体系的短波红外光放大器,采用量子点有源区与锥形脊形混合波导结构实现20-35dB增益和100-500mW饱和输出,在1064nm激光加工、1130nm气体传感及1176nm光纤陀螺等应用中展现出<4dB噪声系数和150nm增益带宽的卓越性能,其创新的"光谱整形"技术将增益波动压缩至±0.3dB,成为支撑工业与国防应用的高性能放大解决方案。

2、核心特点

采用InGaAs/InP量子点有源区与锥形-脊形复合波导结构,实现35dB创纪录增益和±0.2dB增益平坦度的革命性组合,在1064nm工业切割(1kW系统前级放大)、1130nm甲烷检测(0.1ppm灵敏度)及1176nm航天光纤陀螺(0.001°/h精度)三大高端应用中,其创新的"自适应光谱均衡"技术将增益带宽扩展至180nm,同时将噪声系数压至3.5dB,重新定义了短波红外光放大的性能维度。

Daisy

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Innolume半导体光放大器(SOA)1000-1190nm

安全和操作说明此设备发出的光是不可见的,对人眼有害。设备运行时,请避免直视光纤连接器。在连接器打开的情况下操作时,必须佩戴适当的激光安全眼镜。jue对Max. 额定值仅可短时间应用于设备。长时间暴露于Max. 额定值或暴露于多个Max. 额定值可能会导致设备损坏或影响设备的可靠性。在设备的Max. 额定值之外操作设备可能会导致设备故障或安全隐患。必须使用与组件一起使用的电源,以使Max. 正向电流不超过。热辐射器上的设备需要适当的散热器。必须使用 4 个螺钉(以 X 型螺栓拧紧,初始扭矩设置为 0.075Nm,最终以 X 型螺栓拧紧,扭矩设置为 0.15Nm)或夹具将设备安装在散热器上。散热器表面的平整度偏差必须小于 0.05mm。建议在外壳底部和散热器之间使用铟箔或导热柔软材料作为热界面。不宜为此使用导热油脂。避免设备背反射。

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SOA/BOA 宽带高增益光纤耦合(助推)半导体光放大器 775-1285 nm

Semiconductor optical amplifiers SOA半导体光放大器 , booster optical amplifiers(BOA升压光放大器)是使用半导体提供增益介质的放大器。它们具有与法布里-珀罗激光二极管相似的结构,但在端面具有抗反射设计元素。最近的设计包括抗反射涂层以及倾斜的波导和窗口区域,可以将端面反射减少到低于 0.001%。由于这会造成腔体的功率损失大于增益,因此会阻止放大器充当激光器。高性能半导体光放大器在放大要远距离传输的(光)信号时te别有用,因为信号丢失的威胁很大。由于光信号被直接放大,之前转换为电信号变得多余,从而提高了传输效率。该技术通常用于 WDM 网络,用于功率分配和损耗补偿。由于我们的产品组合包括各种放大器,因此了解哪种 SOA 最适合相应的应用非常重要。

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Innolume半导体功率放大器(光纤耦合)

总览 BOA1060080HI120MXXXX -> 1060nm 平均波长下输出功率为 120mW,带宽为 80nm,HI-1060 光纤 BOA1060080PM120MLXXX -> 1060nm 平均波长下输出功率为 120mW,带宽为 80nm,PM-980 光纤,带松套管

产品信息产品型号 中心波长饱和输出功率@-3dB带宽@-3dB 操作

BOA1060080YY120MXXXX-光纤耦合半导体功率放大器 BOA1060080YY120MXXXX 1060nm19dBm80nm 加入询价单

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λ-Amp SOA 宽带固态半导体光放大器 920-1120nm

总览 波长覆盖:近红外(920-1120 nm)< 增益带:~ 100 nm,输出:约1 W(自由空间),约500 mW(PM光纤),带隔离器APC vs λ,time

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