1、基本定义

一种基于Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体的宽谱红外探测器，通过调节砷锑组分比覆盖3-12μm中长波红外波段，在微制冷（-40℃）或室温下即可实现高探测率，主要用于工业气体分析与红外热成像。

2、核心特点

3-12μm宽谱中长波红外探测与室温可工作性，通过组分调控实现8-14μm大气窗口高探测率（>10¹⁰ Jones），兼具制冷成本优势（热电制冷即可）和μs级响应速度，正在工业检测领域快速替代传统MCT探测器。