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中红外LED二极管

概述

1、基本定义

基于III-V族化合物(如InAs/InSb、GaSb/AlGaSb)和量子级联结构的半导体发光器件,通过能带工程精准调控波长(2-20μm),在3-5μm和8-12μm大气窗口波段实现1-100mW输出功率,其创新的"超晶格设计"和"衬底减薄技术"将电光转换效率提升至10%以上,成为气体传感、红外成像和自由空间通信领域的核心光源解决方案。

2、核心特点

采用InAs/InSb量子点和GaSb/AlGaSb超晶格结构,通过能带剪裁技术(波长精度±0.1μm)实现2-20μm精准发射,在3.3μm甲烷检测(0.1ppm灵敏度)、4.3μm二氧化碳分析及8-14μm热成像三大战略级应用中,其创新的"光子晶体谐振腔"将电光效率提升至15%,配合"微纳热电制冷"技术使输出功率突破200mW,在气体检测(0.01ppb痕量识别)、军事夜视(300m探测距离)和非接触测温(±0.1℃精度)领域重新定义了中红外光源的性能极限。

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