首页 光电探测器 雪崩光电探测器 Si硅雪崩光电探测器

Si硅雪崩光电探测器

概述

1、基本定义

一种基于硅半导体雪崩效应的可见光波段(400-1100nm)高增益探测器,通过反向偏压(100-400V)触发载流子雪崩倍增,实现10²-10³倍内部增益,适用于弱光探测与高速光子计数。

2、核心特点

可见光波段(400-1100nm)超高增益(10²-10³倍)与亚纳秒级响应,通过精准偏压控制(近击穿电压)实现单光子探测,但需深度制冷抑制暗计数噪声(<100Hz),成为量子通信和激光雷达的关键传感器。

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硅 Si 雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm

Si雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿;隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响;APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点

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400-1100nm 硅 Si 雪崩平衡探测器 BAPD系列

Si雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿;隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响;APD温度补偿提高探测模块的稳定性。

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硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200-1000nm

APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积为Φ3.0mm。

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