1、基本定义

基于InP/InGaAs材料体系的超长波长垂直腔面发射激光器，采用应变补偿量子点和复合介质膜DBR技术实现L-band（1565-1625nm）和U-band（1625-1675nm）发射，具有超窄线宽（<0.1nm）和超高温度稳定性（±0.01nm/℃），是面向下一代光纤通信（1625nm监控波段）、中红外光谱分析（1650nm分子指纹区）和空间激光通信等尖端应用的革命性光源。

2、核心特点

采用InP基InGaAs/InAlGaAs应变超晶格与复合介质膜DBR技术，实现超窄线宽（<0.1nm）和超高波长稳定性（±0.01nm/℃）的L/U波段发射，在1625nm光纤监控、1650nm分子指纹检测和空间激光通信等尖端领域具有不可替代的光谱精准性，其单晶圆集成特性较传统DFB激光器可降低40%系统功耗。