首页 半导体二极管 DBR二极管 1000-1100nmDBR二极管

1000-1100nmDBR二极管

概述

1、基本定义

基于InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱与啁啾取样光栅(±0.05nm精度)的可调谐激光器,实现25nm超宽连续调谐和±0.005nm/℃的波长稳定性,在1064nm激光加工(1W输出)、1030nm光纤传感和1080nm生物成像等跨领域应用中,同步突破60dB边模抑制比与0.008nm光谱分辨率,其创新的"微机电调谐"结构将响应速度提升至200ns,树立了短波红外可调谐激光器的新性能标杆。

2、核心特点

采用InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱与啁啾取样光栅(±0.05nm精度)实现25nm超宽调谐和±0.005nm/℃的创纪录稳定性,在1064nm精密加工(1.2W输出)、1030nm光纤传感(0.005dB分辨率)及1080nm深层组织成像三大领域同步突破,其62dB边模抑制比与0.005nm光谱分辨率的组合性能,配合创新的" MEMS+电流"双模调谐架构将波长切换速度提升至100ns,重新定义了短波红外可调谐激光器的性能极限。

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1064nm DBR高功率二极管激光器 TO-can 9mm封装 250mW

DBR激光器由多个部分组成:这包括增益部分和单独的DBR光栅。激光二极管上的波导结构需要根据特定波长提供反馈。该波导还部分用作放大介质。DBR 激光器是一种单频半导体激光管。分布式反馈(DFB)和分布式布拉格反射器(DBR)激光二极管是发射极窄光谱线的光源,带宽低于5MHz,典型侧模抑制比(SMSR)>40dB。Innolume基于砷化镓的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱(QW)或InAs/GaAs量子点(QD)活性区和专有芯片设计,覆盖970-1330nm光谱范围

产品信息产品型号 中心波长输出功率 操作

1064nm TO-can 9mm封装DBR高功率二极管激光器 250mW DBR-1064-TO-250 1064nm250mW 加入询价单

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