首页 半导体二极管 DFB二极管 1530-1565nmDFB二极管

1530-1565nmDFB二极管

概述

1、基本定义

基于InGaAsP/InP量子阱与亚原子级布拉格光栅(±0.002nm精度)的C波段通信激光器,实现>75dB边模抑制比和±0.0005nm/℃的量子极限稳定性,在1540nm密集波分复用(100GHz间隔)和1560nm光纤传感(0.001dB分辨率)等核心应用中,同步突破0.001cm⁻¹光谱纯度和25Gbps PAM4调制的技术壁垒,其70%的功率转换效率和-162dB/Hz的相对强度噪声,确立了新一代光通信芯片的终极性能标准。

2、核心特点

采用InGaAsP/InP多量子阱与亚埃级布拉格光栅(±0.002nm精度)实现>75dB边模抑制比和±0.0005nm/℃的量子极限稳定性,在1545nm高速通信(支持50Gbps PAM4调制)和1550nm精密传感(0.0001nm分辨率)领域同步突破,其72%的创纪录电光转换效率与-163dB/Hz超极限噪声特性,使该器件成为同时满足6G通信和量子测量的划时代光源。

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RF调制DFB激光器 1550nm 10mW (10GHz K头)

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1550nm RF调制DFB激光器 10GHz LP-ML1001A-55-FA 1550nm 加入询价单

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