InAsSb铟砷锑光电二极管
1、基本定义
一种基于Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体的宽谱红外探测器，通过调节砷锑组分比实现3-12μm中长波红外探测，在无需制冷（室温）或微制冷（热电制冷）条件下即可实现高灵敏度气体分析与热成像。
2、核心特点
宽域中长波红外覆盖（3-12μm）与室温可工作性，通过能带工程实现高探测率（>10¹⁰ Jones）与低暗电流的平衡，成为非制冷红外系统的关键传感器。
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砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb 非冷却红外光伏探测器 2-5.5um PVA系列
PVA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求
产品信息产品型号 光敏面积最佳波长λopt相对响应强度(λpeak) 操作
InAsSb 红外光伏探测器 非冷却非浸没 2.3um TO39
PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90
0.1×0.1mm^22.3±0.2um4.7±0.3 cm∙Hz^(1/2)/W 加入询价单
InAsSb 红外光伏探测器 非冷却非浸没 2.3um TO39
PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90
0.1×0.1mm^22.3±0.2um4.7±0.3 cm∙Hz^(1/2)/W 加入询价单
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