
InGaAs单光子探测器
1、基本定义
基于InGaAs/InP APD的红外单光子探测器件,工作波段覆盖900-1700nm(尤其适配1550nm光纤通信窗口)。其采用门控或自由运行模式,在盖革模式下实现单光子灵敏度,但需制冷至-30℃以下并优化淬灭电路以抑制后脉冲噪声。典型应用包括量子密钥分发(QKD)和光纤传感。
2、核心特点
近红外单光子探测与GHz级门控操作,但制冷和低占空比(<1%)限制了动态范围。
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铟镓砷 InGaAs MP6514S型单光子阵列探测器组件 950~1650nm
MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下,探测器组件各像元独立、自由运行,探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号,实时输出TTL电信号。
产品信息产品型号 工作波长 操作
950-1650nm InGaAs单光子阵列探测器组件
MP6514S
950-1650nm 加入询价单
950-1650nm InGaAs单光子阵列探测器组件
MP6514S
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近红外光自由运行单光子探测器
近红外自由运行单光子探测器模组SPAD-NIR-FR是我司自主研发的一款自由运行单光子探测器,可以探测到单光子水平的微弱光。其中,1550nm单光子的典型探测效率30%,后脉冲
产品信息产品型号 工作波长光纤接头 操作
近红外光自由运行单光子探测器
SPAD-NIR-FR
900~1700nmFC/UPC 加入询价单
近红外光自由运行单光子探测器
SPAD-NIR-FR
900~1700nmFC/UPC 加入询价单
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近红外门控型单光子探测器
SPAD-NIR-GM系列是我司自主研发的一款单光子探测器模组,它可以应用于单光子水平或者微弱信号进行检测,设备采用铟镓砷雪崩二极管作为光敏元件,通过门控驱动、死时间抑制等多种技术暗计数和后脉冲较低,达到国际优秀水平,近年来广泛应用于量子光学测量、量子保密通信等科研领域,成为量子保密通信中光电转换的核心设备。此款单光子探测器, 响应波长 1000-1650nm ,支持外部触发工作模式 ,探测频率1~ 100MHz 可调 ,探测效率15%-30% ,后脉冲≤1%, 暗计数≤200cps ,探测门宽 1 -5ns 可调。
产品信息产品型号 工作波长探测效率 操作
近红外门控型单光子探测器
SPAD-NIR-GM
1000-1650nm15%-30% 加入询价单
近红外门控型单光子探测器
SPAD-NIR-GM
1000-1650nm15%-30% 加入询价单
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