850 nm GaAs PIN 高速光探测器芯片及阵列芯片
Sherry
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25-100Gbps GaAs PIN PD芯片是一个技术高度集中的产品，其分类体现了在速度、效率、功率和成本之间进行精细权衡的设计哲学。随着数据速率向200G/400G乃至800G演进，对这类芯片的带宽、线性度和功率耐受性提出了更高的要求，推动着其结构和技术持续创新。
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它是一种采用背面入射结构、以GaAs为基底材料的PIN型光电探测器裸芯片或TO-CAN同轴封装元件。其光敏面针对850nm波长优化，具备0.5-0.65 A/W的高响应度、< 0.5 pF的低结电容和> 7 GHz的3dB带宽，暗电流极低（< 1 nA）。它主要设计用于多模光纤通信系统，是构建2.5G/10G SFP/SFP+ 等光收发模块的核心部件，在数据中心和企业网中得到广泛应用。
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40-400Gbps GaAs PIN Array PD Chip
它是一种在单一GaAs衬底上集成了4个或8个独立PIN光电二极管的背面入射、带集成微透镜的裸芯片或陶瓷平面封装元件。每个通道的光敏面针对850nm波长优化，单通道带宽支持50Gbps PAM4 调制，具有>0.5 A/W的高响应度、极低的通道间串扰和卓越的线性度。其电极采用高频兼容设计（如GSG共面波导），以支持数十GHz的电信号传输。该芯片是构建400G/800G并行光模块和CPO光引擎接收端的核心，专为下一代数据中心和高性能计算的高速互联而设计。
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