首页 半导体二极管 VCSEL二极管 1350-1500nmVCSEL二极管

1350-1500nmVCSEL二极管

概述

筱晓光子推出的1350-1500nmVCSEL二极管,基于InP/InGaAsP材料体系的通信波段垂直腔面发射激光器,采用应变补偿量子阱和复合DBR结构实现长波长发射,主要面向1550nm光纤通信、气体分子检测(如1392nm水汽吸收线)和中红外光学传感等高端应用,是突破传统VCSEL波长限制的前沿器件。

基于InP/InGaAsP应变超晶格和复合DBR技术实现通信波段激光发射,兼具低阈值(1.8-3.5kA/cm²)和高单模纯度(边模抑制比>35dB)的特性,在1490nm波分复用、1383nm气体传感等高端应用中展现出不可替代的光谱精准匹配优势。

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1403nm单模VCSEL(带TEC)

垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL)是一种以砷化镓半导体材料为基础研制的半导体激光器,其激光垂直于顶面发射,与发光二极管(LED)和激光二极管(LD)存在本质区别;它由反射镜面、有源层及金属接触层构成,其中两个发射镜分别为 P 型和 N 型布拉格反射器(DBR),有源区由量子阱组成,在 P 型 DBR 的外表面制备金属接触层以形成欧姆接触,并在 P 型 DBR 上开设圆形出光口用于激光输出;该激光器具有远场发散角小、光束窄且呈圆形,阈值电流低、调制频率高(可达 300kHz),以及通过改变激光电流和温度可实现波长调谐等特性,其封装内部集成了热电制冷器(TEC)和光电探测器(PD),专为高速光纤应用场景设计。

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