首页 半导体二极管 VCSEL二极管 1350-1500nmVCSEL二极管

1350-1500nmVCSEL二极管

概述

1、基本定义

基于InP/InGaAsP材料体系的通信波段垂直腔面发射激光器,采用应变补偿量子阱和复合DBR结构实现长波长发射,主要面向1550nm光纤通信、气体分子检测(如1392nm水汽吸收线)和中红外光学传感等高端应用,是突破传统VCSEL波长限制的前沿器件。

2、核心特点

基于InP/InGaAsP应变超晶格和复合DBR技术实现通信波段激光发射,兼具低阈值(1.8-3.5kA/cm²)和高单模纯度(边模抑制比>35dB)的特性,在1490nm波分复用、1383nm气体传感等高端应用中展现出不可替代的光谱精准匹配优势。

Daisy

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