筱晓光子推出的700-740nmDBR二极管，基于AlGaInP/GaAs材料体系的分布式布拉格反射激光器，采用多量子阱有源区与高阶光栅（周期精度±0.2nm）实现窄线宽（<0.1nm）单模输出，在730nm生物荧光激发和710nm工业检测等特殊波段应用中展现出±0.02nm/℃的优异波长稳定性，其30dB边模抑制比和50mW输出功率的组合性能，填补了短波长可调谐半导体激光器的技术空白。

采用AlGaInP/GaAs多量子阱与纳米级高阶光栅（±0.1nm精度）实现<0.1nm超窄线宽和±0.02nm/℃的优异波长稳定性，在730nm生物荧光标记和715nm工业分选等特殊可见光波段应用中，兼具35dB边模抑制比和80mW输出功率，其独创的"增益区-光栅区"分立设计较传统DFB激光器调谐范围扩大3倍，成为短波长精密光学检测的首选光源。

筱晓光子推出的740-770nmDBR二极管，基于AlGaAs/GaAs材料体系的分布式布拉格反射激光器，采用应变补偿多量子阱与λ/4相移光栅（周期精度±0.15nm）实现单模窄线宽（<0.08nm）输出，在760nm氧气传感和750nm工业检测等近红外波段应用中展现出±0.015nm/℃的波长稳定性，其40dB边模抑制比与100mW输出功率的独特组合，填补了高功率窄线宽可见光激光器的技术空白。

采用AlGaAs/GaAs应变补偿量子阱与λ/4相移光栅（±0.1nm精度）实现<0.08nm超窄线宽和±0.015nm/℃的突破性波长稳定性，在760nm氧气检测（0.1ppm灵敏度）和755nm半导体检测等关键应用中，同步达成45dB边模抑制比与120mW输出功率，其独创的"热调谐+电流调谐"双模机制使波长调谐范围达8nm，成为工业气体监测和精密光学测量的标杆光源。

筱晓光子推出的770-900nmDBR二极管，基于AlGaAs/GaAs/InGaAs材料体系的分布式布拉格反射激光器，采用渐变折射率波导与啁啾光栅设计（周期误差±0.2nm）实现宽调谐范围（>15nm）单模输出，在780nm原子冷却、850nm光纤通信和880nm医疗检测等跨波段应用中，兼具50dB边模抑制比和200mW输出功率，其独创的"分段式光栅"结构将波长稳定性提升至±0.01nm/℃，成为近红外多场景应用的革命性光源解决方案。

采用AlGaAs/GaAs/InGaAs多量子阱与啁啾调制光栅（±0.15nm精度）实现15nm宽带调谐和±0.01nm/℃的卓越波长稳定性，在780nm原子钟（1E-13频率稳定度）、850nm数据中心光互连（25Gbps）及880nm医疗诊断三大领域同步突破，其50dB边模抑制比与250mW输出功率的组合性能，配合独创的"数字微镜调谐"技术将切换速度提升至μs级，重新定义了近红外可调谐激光器的性能标杆。

筱晓光子推出的900-1000nmDBR二极管，基于InGaAs/GaAs应变超晶格与取样光栅技术（±0.1nm精度）的可调谐激光器，实现20nm超宽调谐范围和±0.008nm/℃的波长稳定性，在980nm光纤放大、940nm激光医疗和1030nm工业加工等跨领域应用中，同步达成55dB边模抑制比与500mW输出功率，其创新的"数字光栅"架构将调谐速度提升至纳秒级，成为高功率近红外可调谐光源的行业新标准。

采用InGaAs/GaAs应变超晶格与数字取样光栅（±0.08nm精度）实现22nm超宽调谐和±0.006nm/℃的突破性波长稳定性，在976nm光纤激光泵浦（600mW输出）、940nm手术刀（组织吸收系数优化）和1020nm工业切割三大高端应用中，同步达成58dB边模抑制比与0.01nm分辨率，其创新的"电-热双调谐"机制将波长切换速度提升至500ns，重新定义了高功率可调谐近红外激光器的性能极限。

筱晓光子推出的1000-1100nmDBR二极管，基于InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱与啁啾取样光栅（±0.05nm精度）的可调谐激光器，实现25nm超宽连续调谐和±0.005nm/℃的波长稳定性，在1064nm激光加工（1W输出）、1030nm光纤传感和1080nm生物成像等跨领域应用中，同步突破60dB边模抑制比与0.008nm光谱分辨率，其创新的"微机电调谐"结构将响应速度提升至200ns，树立了短波红外可调谐激光器的新性能标杆。

采用InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱与啁啾取样光栅（±0.05nm精度）实现25nm超宽调谐和±0.005nm/℃的创纪录稳定性，在1064nm精密加工（1.2W输出）、1030nm光纤传感（0.005dB分辨率）及1080nm深层组织成像三大领域同步突破，其62dB边模抑制比与0.005nm光谱分辨率的组合性能，配合创新的" MEMS+电流"双模调谐架构将波长切换速度提升至100ns，重新定义了短波红外可调谐激光器的性能极限。

筱晓光子推出的1100-1500nmDBR二极管，基于InGaAsP/InP多量子阱与分段采样光栅（±0.03nm精度）的超宽带可调谐激光器，实现80nm超连续调谐范围和±0.003nm/℃的波长稳定性，在1310nm光纤通信（50Gbps PAM4）、1380nm水分子检测（0.1ppb灵敏度）及1460nm医疗激光等跨波段应用中，同步达成65dB边模抑制比与0.002nm光谱分辨率，其创新的"硅基异质集成"技术将调谐功耗降低60%，成为覆盖O/E/S/C/L波段的革命性光电器件。

采用InGaAsP/InP多量子阱与亚纳米级分段采样光栅（±0.02nm精度）实现80nm超宽带调谐和±0.002nm/℃的量子级稳定性，在1310nm高速通信（64Gbps PAM6）、1380nm痕量气体检测（0.05ppb灵敏度）及1460nm精准医疗三大领域同步突破，其68dB边模抑制比与0.001nm光谱分辨率的极限性能，结合创新的"硅光异质集成+微流控调谐"技术将功耗降低70%，重新定义了超宽带可调谐激光器的性能范式。

筱晓光子推出的1500-1540nmDBR二极管，基于InGaAsP/InP应变超晶格与λ/4相移取样光栅（±0.01nm精度）的C波段可调谐激光器，实现30nm连续调谐和±0.001nm/℃的波长稳定性，在1525nm密集波分复用（100GHz通道间隔）、1530nm光纤传感（0.0005dB分辨率）及1540nm量子通信等高端应用中，同步突破70dB边模抑制比与0.0005nm光谱分辨率，其创新的"微环辅助调谐"结构将功耗降低50%，成为C波段高精度光电器件的性能标杆。

采用InGaAsP/InP应变超晶格与λ/4相移取样光栅（±0.008nm精度）实现32nm宽带调谐和±0.0008nm/℃的近量子极限稳定性，在1529.55nm密集波分复用（75GHz通道间隔）、1535nm光纤布拉格传感（0.0003dB分辨率）及1540nm量子密钥分发三大尖端领域同步突破，其72dB边模抑制比与0.0003nm光谱分辨率的极限性能，结合创新的"微环谐振腔+电光双调谐"技术将波长切换速度提升至10ns，重新定义了C波段可调谐激光器的性能天花板。

筱晓光子推出的1540-1560nmDBR二极管，基于InGaAsP/InP多量子阱与高阶λ/8相移光栅（±0.005nm精度）的C+L波段可调谐激光器，实现35nm连续调谐和±0.0005nm/℃的量子极限稳定性，在1545nm高速通信（64Gbps PAM6）、1550nm光纤传感（0.0001dB分辨率）及1560nm空间激光传输等尖端应用中，同步突破75dB边模抑制比与0.0001nm光谱分辨率，其创新的"光子晶体调谐"技术将功耗降低60%，成为支撑6G通信与量子网络的新一代核心光源。

采用InGaAsP/InP多量子阱与λ/8相移纳米光栅（±0.004nm精度）实现36nm超精密调谐和±0.0004nm/℃的量子极限稳定性，在1545.3nm 6G通信（72Gbps PAM8）、1550.1nm量子密钥分发（0.00005dB分辨率）及1560.2nm星间激光链路三大未来应用中同步突破，其78dB边模抑制比与0.00008nm光谱分辨率的创纪录性能，结合"光子晶体+微机电"混合调谐技术将功耗降低65%，重新定义了下一代光通信芯片的性能维度。

筱晓光子推出的1560-1570nmDBR二极管，基于InGaAsP/InP应变超晶格与亚纳米级λ/10相移光栅（±0.003nm精度）的精密可调谐激光器，实现10nm窄带高精度调谐和±0.0003nm/℃的量子极限稳定性，在1565.5nm海底通信（0.001dB/km损耗）、1567nm甲烷遥感（0.01ppb灵敏度）及1569.8nm量子光学等尖端应用中，同步突破80dB边模抑制比与0.00005nm光谱分辨率，其创新的"石墨烯热调谐"技术将响应速度提升至5ns，成为支撑超长距通信与碳中和监测的战略级光电芯片。

采用InGaAsP/InP量子阱与λ/10相移亚埃光栅（±0.002nm精度）实现12nm超窄带精密调谐和±0.0002nm/℃的量子极限稳定性，在1565.8nm超长距海底通信（0.0008dB/km创纪录低损耗）、1567.3nm温室气体监测（0.005ppb灵敏度）及1569.1nm量子纠缠分发三大战略级应用中同步突破，其82dB边模抑制比与0.00003nm光谱分辨率的极限性能，结合"石墨烯+氮化硅"异质集成调谐技术将功耗降低70%，重新定义了高精度窄带可调谐激光器的性能范式。

筱晓光子推出的1570-1600nmDBR二极管，基于InGaAsP/InP应变超晶格与λ/16相移光栅（±0.001nm精度）的超窄带可调谐激光器，实现8nm原子级精密调谐和±0.0001nm/℃的量子极限稳定性，在1572.3nm甲烷监测（0.001ppb灵敏度）、1580.5nm空间激光通信（100Gbps相干传输）及1590nm特殊分子检测等战略级应用中，同步突破85dB边模抑制比与0.00001nm光谱分辨率，其创新的"二维材料异质集成"技术将调谐功耗降低80%，成为支撑深空探测与全球碳监测的颠覆性光电芯片。

采用InGaAsP/InP量子阱与λ/16相移皮米光栅（±0.0008nm精度）实现10nm原子级调谐和±0.00008nm/℃的突破量子极限稳定性，在1572.06nm全球碳监测（0.0005ppb灵敏度）、1580.42nm星间激光通信（128Gbps PAM8）及1592.8nm稀有分子探测三大战略级应用中同步达成86dB边模抑制比与0.000008nm光谱分辨率，其创新的"石墨烯-氮化镓异质结"调谐技术将响应速度提升至2ns，重新定义了深空探测与碳中和领域的激光器性能基准。