筱晓光子推出的增益芯片，增益芯片是基于半导体材料（如InP/GaAs）的光学放大核心器件，通过载流子注入在有源区（多量子阱/量子点）实现受激辐射放大，典型具备10-30dB增益和100-1000mW输出功率，其创新的"脊形波导"或"锥形放大器"结构在光纤通信（C/L波段）、激光雷达和生物传感等应用中实现高效率（>50%）与低噪声（<-150dB/Hz）特性，是构建光纤放大器、外腔激光器和超快激光系统的关键基础元件。

基于量子阱/量子点有源区与精密波导结构（如锥形或脊形设计），通过载流子注入实现10-30dB高增益和100-1000mW功率输出，兼具>50%电光转换效率与<-150dB/Hz超低噪声，其创新的"多区电流控制"技术可动态调节光谱特性（带宽达100nm），在光纤通信（C/L波段）、激光雷达（人眼安全波长）及生物传感等应用中成为高性能激光系统的核心引擎，重新定义了半导体光放大的性能边界。

筱晓光子推出的600-800nmSOA二极管，基于GaInP/AlGaInP或GaAs/AlGaAs材料体系的宽谱放大器件，采用多量子阱有源区和脊形波导结构实现20-30dB增益与10-100mW饱和输出功率，在650nm可见光通信、780nm原子传感及760nm氧气检测等应用中展现出<6dB噪声系数和100nm带宽的优异特性，其创新的"双区电流注入"技术将增益平坦度优化至±1dB，成为短波长光信号放大的关键解决方案。

采用GaInP/AlGaInP多量子阱与抗反射脊形波导结构，实现25dB超高增益和±0.5dB增益平坦度的突破性组合，在635nm激光显示、780nm原子钟稳频及760nm环境监测三大应用中，其创新的"载流子-光子协同调控"技术将噪声系数压至4dB，同时保持120nm超宽增益带宽，重新定义了短波长光信号放大的性能极限。

筱晓光子推出的800-1000nmSOA二极管，基于InGaAs/GaAs材料体系的近红外光放大器，采用应变补偿量子阱和锥形波导结构实现18-28dB增益与50-200mW饱和输出，在850nm数据中心光互连、940nm激光医疗及980nm光纤放大等应用中展现出<5dB噪声系数和80nm增益带宽的优异特性，其创新的"梯度电流注入"技术将增益波动抑制至±0.8dB，成为高功率近红外光信号放大的核心器件。

采用InGaAs/GaAs应变补偿量子阱与锥形放大波导结构，实现30dB超高增益和±0.5dB增益平坦度的突破性组合，在850nm硅光互连（28Gbps传输）、940nm手术激光（功率稳定性<0.1%）及976nm光纤放大器（噪声指数<4dB）三大高端应用中，其创新的"多段式电流自适应"技术将增益带宽扩展至100nm，同时保持-150dB/Hz的超低相对强度噪声，重新定义了近红外光放大的性能标杆。

筱晓光子推出的1000-1200nmSOA二极管，基于InGaAs/InP材料体系的短波红外光放大器，采用量子点有源区与锥形脊形混合波导结构实现20-35dB增益和100-500mW饱和输出，在1064nm激光加工、1130nm气体传感及1176nm光纤陀螺等应用中展现出<4dB噪声系数和150nm增益带宽的卓越性能，其创新的"光谱整形"技术将增益波动压缩至±0.3dB，成为支撑工业与国防应用的高性能放大解决方案。

采用InGaAs/InP量子点有源区与锥形-脊形复合波导结构，实现35dB创纪录增益和±0.2dB增益平坦度的革命性组合，在1064nm工业切割（1kW系统前级放大）、1130nm甲烷检测（0.1ppm灵敏度）及1176nm航天光纤陀螺（0.001°/h精度）三大高端应用中，其创新的"自适应光谱均衡"技术将增益带宽扩展至180nm，同时将噪声系数压至3.5dB，重新定义了短波红外光放大的性能维度。

筱晓光子推出的1200-1400nmSOA二极管，基于InGaAsP/InP材料体系的中红外光放大器，采用应变超晶格有源区与锥形波导结构实现25-40dB增益和200-800mW饱和输出，在1310nm光纤通信、1330nm甲烷监测及1380nm水分子检测等应用中展现出<3.5dB噪声系数和200nm增益带宽的卓越性能，其创新的"双泵浦载流子注入"技术将增益波动抑制至±0.1dB，成为支撑环境监测与光通信的高精度放大核心器件。

采用InGaAsP/InP应变超晶格与双锥形放大波导结构，实现42dB超高增益和±0.08dB增益平坦度的量子极限性能，在1310nm高速通信（64Gbps PAM4）、1330nm温室气体监测（0.01ppb灵敏度）及1380nm大气水汽分析三大战略级应用中，其创新的"相干泵浦-自适应均衡"技术将增益带宽扩展至250nm，同时将噪声系数压至3.2dB，重新定义了中红外光放大的性能范式。

筱晓光子推出的1400-1700nmSOA二极管，基于InGaAs/InP材料体系的长波光放大器，采用量子阱混杂有源区与锥形-脊形混合波导结构实现30-45dB增益和300-1000mW饱和输出，在1550nm光纤通信、1570nm甲烷检测及1650nm分子光谱等应用中展现出<3dB噪声系数和300nm增益带宽的突破性性能，其创新的"智能光谱管理"技术将增益波动抑制至±0.05dB，成为支撑6G通信与碳中和监测的战略级器件。

采用InGaAs/InP量子阱混杂有源区与锥形-脊形复合波导结构，实现48dB创纪录增益和±0.03dB增益平坦度的量子极限性能，在1550nm超高速通信（128Gbps PAM8）、1572nm全球碳监测（0.005ppb灵敏度）及1650nm分子指纹识别三大国家战略级应用中，其创新的"AI实时光谱优化"技术将增益带宽扩展至350nm，同时将噪声系数压至2.8dB，重新定义了长波红外光放大的技术范式。