首页 半导体二极管 DBR二极管 1100-1500nmDBR二极管

1100-1500nmDBR二极管

概述

1、基本定义

基于InGaAsP/InP多量子阱与分段采样光栅(±0.03nm精度)的超宽带可调谐激光器,实现80nm超连续调谐范围和±0.003nm/℃的波长稳定性,在1310nm光纤通信(50Gbps PAM4)、1380nm水分子检测(0.1ppb灵敏度)及1460nm医疗激光等跨波段应用中,同步达成65dB边模抑制比与0.002nm光谱分辨率,其创新的"硅基异质集成"技术将调谐功耗降低60%,成为覆盖O/E/S/C/L波段的革命性光电器件。

2、核心特点

采用InGaAsP/InP多量子阱与亚纳米级分段采样光栅(±0.02nm精度)实现80nm超宽带调谐和±0.002nm/℃的量子级稳定性,在1310nm高速通信(64Gbps PAM6)、1380nm痕量气体检测(0.05ppb灵敏度)及1460nm精准医疗三大领域同步突破,其68dB边模抑制比与0.001nm光谱分辨率的极限性能,结合创新的"硅光异质集成+微流控调谐"技术将功耗降低70%,重新定义了超宽带可调谐激光器的性能范式。

Daisy

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