首页 半导体二极管 DFB二极管 1260-1360nmDFB二极管

1260-1360nmDFB二极管

概述

筱晓光子推出的1260-1360nmDFB二极管,基于InGaAsP/InP应变补偿量子阱与高精度布拉格光栅(±0.03nm控制精度)的单纵模激光器,实现>65dB边模抑制比和±0.003nm/℃的波长稳定性,在1310nm光纤通信、1330nm甲烷检测及1350nm组织光谱等O波段关键应用中展现出0.001nm级光谱分辨能力,其调制线性度较常规器件提升8倍,成为高速光通信与精密分子检测的基准光源。

采用InGaAsP/InP应变超晶格与原子层沉积布拉格光栅(周期控制精度±0.02nm),实现>65dB边模抑制比和±0.002nm/℃的创纪录波长稳定性,在1310nm光纤通信(25Gbps直接调制)和1335nm温室气体检测(0.1ppb灵敏度)等应用中同时满足高速与高精度需求,其-158dB/Hz的相对强度噪声和0.8MHz超窄线宽特性,使该器件成为唯一能兼顾光通信与光谱检测的双重标准光源。

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DFB微波激光二极管 1310nm 6.5mW

微波分布式反馈(DFB)激光器在非常宽的带宽应用中为线性光纤通信提供了特殊的性能。ML1001线性光纤激光器是利用同轴电缆系统传输10MHz到18GHz信号的好选择。它们通过发射原始格式的射频信号,大大提高了微波通信网络的可靠性。由于这些优越的特性,我们的激光产品为包括天线遥控、遥测、定时和参考信号分配、测量和延迟线等等广泛的应用,提供了显著改善的高信号质量。

产品信息产品型号 中心波长 操作

RF调制DFB激光器(1310nm 10GHz)|数据中心 MP-DFB-1310-10-14BF-RF 1310nm 加入询价单

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1320nm 高温高功率DFB芯片 250mW

1320nm高温高功率DFB激光芯片适合在高温下工作,具有超低的RIN 噪声和高输出光功率等优点.输出功率高达250mW.可根据客户的需求提供波长定制服务

产品信息产品型号 中心波长 操作

1320nm 高温高功率DFB芯片 250mW MP-DFB-1320-250-CoC 1320nm 加入询价单

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innolume DFB激光二极管 968-1330nm

分布式反馈 (DFB) 和分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二极管是发射极窄光谱线的光源,带宽低于 5MHz,典型侧模抑制比 (SMSR) > 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱(QW)或InAs/GaAs量子点(QD)有源区域和专有芯片设计,覆盖970-1330nm光谱范围。截至今天,DFB激光器和DBR激光器是常用的激光变体,te别是在科学研究和操作中使用方面。两种激光器型号均采用一种单一的纵向模式,在各种应用中的效率、光谱纯度和长期性能方面也非常可靠。Innolume是您现代DFB激光器和DBR激光器的合作伙伴,可以根据您的业务需求和规格进行优化。与我们联系,了解更多关于我们的开创性技术成就以及我们产品的可能应用!

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初步(封装的)分布式反馈(DFB)载体激光器芯片

筱晓光子推出一款专为硅光子 (SiPh) 数据通信收发器设计的全新 O 波段分布式反馈 (DFB) 激光器。这款新型 DFB 激光器基于 专有的量子点 (QD) 平台构建,不仅具备无跳模操作和抗光背向反射(这两个特性对于无缝集成到 SiPh 系统至关重要),而且还具有优秀的长期可靠性,使其成为大批量、高性能部署的理想之选。腔长 1 毫米,我们在紧凑性和性能之间取得了平衡,实现了低噪声运行,相对强度噪声值低于 -145 dB/Hz,这对于高速数据通信链路至关重要。在 75°C 高温下,工作光功率为 70 mW,在室温 (25°C) 下,工作光功率超过 100 mW,使这款新型 DFB 激光器成为热受限环境下的可靠且理想的解决方案。

产品信息产品型号 波长范围输出功率 操作

初步(封装的)分布式反馈(DFB)载体激光器芯片 MP-DFB-1310-70-Chip 1270-1330nm>70mW(端面外) 加入询价单

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