GaAs砷化镓偏压探测器
1、基本定义
一种通过施加反向偏压（通常5-50V）提升近红外波段（800-1700nm）性能的光电器件，基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的光生伏特效应，将光信号转换为电信号。其设计通过强电场加速载流子渡越，显著提高响应速度和量子效率，尤其适用于光纤通信（1310nm波段）和脉冲激光测距等需要快速光电转换的场景。
2、核心特点
通过可控反向偏压（5-50V）实现近红外波段（800-1700nm）的高速响应（纳秒级）与增益可调，兼具高量子效率（＞70%@1310nm）与TO封装兼容性，但需温控抑制暗电流以维持信噪比。
Sherry
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美国 EOT 高速光电探测器(GaAs) 830nm
筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量
产品信息产品型号 响应度带宽 操作
砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT
ET-4000F
0.38Ａ／Ｗ＠830ｎｍ>12.5 GHz 加入询价单
砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT
ET-4000
0.53Ａ／Ｗ＠830ｎｍ>12.5 GHz 加入询价单
砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT
ET-4000F
0.38Ａ／Ｗ＠830ｎｍ>12.5 GHz 加入询价单
砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT
ET-4000
0.53Ａ／Ｗ＠830ｎｍ>12.5 GHz 加入询价单
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