GaAs砷化镓偏压探测器
筱晓光子推出的GaAs砷化镓偏压探测器，一种通过施加反向偏压（通常5-50V）提升近红外波段（800-1700nm）性能的光电器件，基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的光生伏特效应，将光信号转换为电信号。其设计通过强电场加速载流子渡越，显著提高响应速度和量子效率，尤其适用于光纤通信（1310nm波段）和脉冲激光测距等需要快速光电转换的场景。
通过可控反向偏压（5-50V）实现近红外波段（800-1700nm）的高速响应（纳秒级）与增益可调，兼具高量子效率（＞70%@1310nm）与TO封装兼容性，但需温控抑制暗电流以维持信噪比。
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筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量
产品信息产品型号 响应度带宽 操作
砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT
0.38Ａ／Ｗ＠830ｎｍ>12.5 GHz 加入询价单
砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT
0.53Ａ／Ｗ＠830ｎｍ>12.5 GHz 加入询价单
砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT
0.38Ａ／Ｗ＠830ｎｍ>12.5 GHz 加入询价单
砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT
0.53Ａ／Ｗ＠830ｎｍ>12.5 GHz 加入询价单
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30 GHz 微波光子GaAs接收器（660-1100nm 超快光电探测器）
筱晓提供的GaAS超快光电探测器最适合测量直流至 30GHz范围内的光波形。多款型号的上升时间短至 10ps，光谱覆盖范围为 660 至 1100 nm。 所有光电二极管均封装在紧凑坚固的铝制外壳中，可通过电池或外部电源供电。完美的阻抗匹配和最先进的微波技术，确保脉冲波形测量无任何振铃或伪影。用户可灵活选用 50Ω终端电阻以实现最高速运行，或选用高阻抗负载以获取大信号，为各类应用提供最大化灵活性。 与我们的高增益放大器搭配使用时，这款高速光电探测器是昂贵且笨重的雪崩光电二极管的高性价比替代方案。
产品信息产品型号 工作波长 操作
30 GHz 微波光子GaAs接收器（660-1100nm 超快光电探测器）
MR-30A-850-M
660-1100nm 加入询价单
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