首页 半导体二极管 VCSEL二极管 1200-1350nmVCSEL二极管

1200-1350nmVCSEL二极管

概述

筱晓光子推出的1200-1350nmVCSEL二极管,基于InP/GaAs材料体系的短波红外垂直腔面发射激光器,采用InGaAsP/InP量子阱或GaAsSbN新型结构实现长波长发射,主要应用于1310nm光通信、气体传感和医疗成像等特殊场景,是填补传统近红外与中红外激光技术空白的关键器件。

基于InP/GaAs异质集成技术实现短波红外发射,突破传统材料波长限制,在1310nm光通信、甲烷检测(1330nm)和生物组织成像等特殊应用中展现出独特的光谱匹配优势,同时面临DBR反射率不足和高温稳定性等关键技术挑战。

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1310 nm单模VCSEL(带TEC)

1310 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)封装在带有单模光纤尾纤的紧凑同轴外壳中。VCSEL-1310-SM设计用于光纤传感、激光发射器和光通信应用。它需要非常低的驱动电流,并且可以通过内置TEC实现温度稳定。

产品信息 中心波长 操作

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