1、基本定义

基于InP/GaAs材料体系的短波红外垂直腔面发射激光器，采用InGaAsP/InP量子阱或GaAsSbN新型结构实现长波长发射，主要应用于1310nm光通信、气体传感和医疗成像等特殊场景，是填补传统近红外与中红外激光技术空白的关键器件。

2、核心特点

基于InP/GaAs异质集成技术实现短波红外发射，突破传统材料波长限制，在1310nm光通信、甲烷检测（1330nm）和生物组织成像等特殊应用中展现出独特的光谱匹配优势，同时面临DBR反射率不足和高温稳定性等关键技术挑战。