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Si硅光电二极管

概述

1、基本定义

一种基于PN结光生伏特效应的半导体器件,通过硅材料吸收400-1100nm波段光子产生电流,实现光信号至电信号的线性转换。

2、核心特点

高灵敏度宽光谱响应(400-1100nm)与快速光电转换,通过硅PN结的低噪声特性实现pW级光强检测,同时保持纳秒级响应速度与线性输出。

Sherry

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硅 Si 光电二极管探测器放大器 Photop™混合封装系列 200-1100nm

硅 Si Photop™系列,将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops™通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装,确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的,既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置,也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。

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硅 Si PIN光电二极管(TO封装) 400-1100nm

器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。

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