
1500-1540nmDBR二极管
1、基本定义
基于InGaAsP/InP应变超晶格与λ/4相移取样光栅(±0.01nm精度)的C波段可调谐激光器,实现30nm连续调谐和±0.001nm/℃的波长稳定性,在1525nm密集波分复用(100GHz通道间隔)、1530nm光纤传感(0.0005dB分辨率)及1540nm量子通信等高端应用中,同步突破70dB边模抑制比与0.0005nm光谱分辨率,其创新的"微环辅助调谐"结构将功耗降低50%,成为C波段高精度光电器件的性能标杆。
2、核心特点
采用InGaAsP/InP应变超晶格与λ/4相移取样光栅(±0.008nm精度)实现32nm宽带调谐和±0.0008nm/℃的近量子极限稳定性,在1529.55nm密集波分复用(75GHz通道间隔)、1535nm光纤布拉格传感(0.0003dB分辨率)及1540nm量子密钥分发三大尖端领域同步突破,其72dB边模抑制比与0.0003nm光谱分辨率的极限性能,结合创新的"微环谐振腔+电光双调谐"技术将波长切换速度提升至10ns,重新定义了C波段可调谐激光器的性能天花板。
Daisy
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