1310/1550nm 高温单模光纤波分复用器（WDM）

一种专门为极端高温环境设计的光纤无源器件，能够在高达 +200°C 至 +300°C 的工作温度下，将1310nm和1550nm两个波段的光信号进行复用（合波）与解复用（分波）

1×2（2×2）高温单模宽带分光器

一种专为极端高温环境设计的光纤无源器件，能够在高达 +300°C 的工作温度下，将宽谱光信号按照精确比例进行分配。与窄带分光器不同，宽带分光器支持更宽的工作带宽（典型值为 ±40 nm），适用于需要覆盖多个波长或存在波长漂移的应用场景

1×2（2×2）高温单模窄带分光器

一种专为极端高温环境设计的光纤无源器件。它能在高达 +300°C 的工作温度下，将特定窄带波长的光信号按照精确比例进行分配

1090nm DBR激光二极管

1090 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。1090 nm DBR 系列器件广泛应用于基于锶元素的原子光谱学应用。

1083.33nm DBR激光二极管

1083.33 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。1083.33 nm DBR 系列器件广泛应用于基于亚稳态氦元素的原子光谱学应用。1083.33 nm DBR 系列器件已通过光谱学认证，保证在室温 ± 10°C 范围内精准覆盖氦元素亚稳态跃迁频率。

1080nm DBR激光二极管

1080 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。1080 nm DBR 系列器件可用作倍频应用中的低噪声光泵浦源。

1064nm DBR激光二极管

1064 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。1064 nm DBR 系列器件可用作低噪声泵浦源，常用于倍频应用。

1039nm DBR激光二极管

1039 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。1039 nm DBR 系列器件在倍频后可用作低噪声氮-空位色心探针。

1036nm DBR激光二极管

1036 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。1036 nm DBR 系列器件可用作倍频应用中的低噪声光泵浦源。

894.592nm DBR激光二极管

894.592nmDBR系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术制成。该系列激光器提供单横模光束输出，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。894.592 nm 系列 DBR 器件专用于铯（Cs）基原子光谱应用。该系列产品经过光谱认证，保证在室温附近 ±10°C 范围内能够准确调谐至铯原子 D1 跃迁线。

866.214nm 系列DBR激光二极管

866.214 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。866.214 nm DBR 系列器件广泛应用于基于钙离子的原子光谱学应用。866.214 nm DBR 系列器件已通过光谱学认证，保证在室温 ± 10°C 范围内精准覆盖钙离子冷却跃迁频率。

845.584nm DBR激光二极管

845.584 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。845.584 nm DBR 系列器件广泛应用于基于钙元素的原子光谱学应用。该系列器件已通过光谱学认证，保证在室温 ± 10°C 范围内精准覆盖倍频钙冷却跃迁频率。