首页 半导体二极管 DBR二极管 900-1000nmDBR二极管

900-1000nmDBR二极管

概述

1、基本定义

基于InGaAs/GaAs应变超晶格与取样光栅技术(±0.1nm精度)的可调谐激光器,实现20nm超宽调谐范围和±0.008nm/℃的波长稳定性,在980nm光纤放大、940nm激光医疗和1030nm工业加工等跨领域应用中,同步达成55dB边模抑制比与500mW输出功率,其创新的"数字光栅"架构将调谐速度提升至纳秒级,成为高功率近红外可调谐光源的行业新标准。

2、核心特点

采用InGaAs/GaAs应变超晶格与数字取样光栅(±0.08nm精度)实现22nm超宽调谐和±0.006nm/℃的突破性波长稳定性,在976nm光纤激光泵浦(600mW输出)、940nm手术刀(组织吸收系数优化)和1020nm工业切割三大高端应用中,同步达成58dB边模抑制比与0.01nm分辨率,其创新的"电-热双调谐"机制将波长切换速度提升至500ns,重新定义了高功率可调谐近红外激光器的性能极限。

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