首页 半导体二极管 VCSEL二极管 1500-1600nmVCSEL二极管

1500-1600nmVCSEL二极管

概述

1、基本定义

基于InP/InGaAlAs材料体系的通信波段垂直腔面发射激光器,采用应变补偿多量子阱和混合DBR技术实现C-band(1530-1565nm)和L-band(1565-1625nm)发射,具有单模稳定性(SMSR>40dB)和低阈值特性(1.5-3kA/cm²),是面向5G光通信(1550nm)、甲烷激光雷达(1570nm)和量子光学等高端应用的新型光源解决方案。

2、核心特点

采用InGaAlAs/InP量子阱混合DBR技术实现通信波段精准发射,兼具超低阈值(1.2-2.8kA/cm²)和超高边模抑制比(>45dB)的突破性性能,在5G光传输(1550nm)、温室气体监测(1572nm)和量子通信等尖端领域展现出波长不可替代性,代表着长波长VCSEL技术的最高水平。

Daisy

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1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW

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1550nm 可调谐VCSEL TO封装 带尾纤

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超低噪声1550NM VCSEL驱动模块LDm-vcsel-1550nm

LDm-vcsel-1550nm是一款基于低电流驱动半导体激光二极管,用电流驱动与温度控制模块来驱动内置1550nm VCSEL激光器来。该模块主要功能包括:控制激光器内部温度、产生恒流信号驱动激光器,并可将外部输入电压信号转换为电流驱动。模块具有三种Max. 电流驱动范围,适用于不同功率大小的激光器(通过电路板跳线进行选择)。

产品信息产品型号 中心波长输出功率光纤类型 操作

超低噪声1550NM VCSEL驱动模块LDm-vcsel-1550nm LDm-vcsel-1550nm 1550nm>1mWSMF-28e 加入询价单

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