
760-1000nmDFB二极管
1、基本定义
基于布拉格光栅波长选择机制的单纵模半导体光源,采用AlGaAs/InGaAsP多量子阱结构实现亚纳米级波长稳定性(±0.01nm/℃)和超高边模抑制比(>50dB),在原子光谱(Rb 780nm)、生物医疗(808nm)和工业加工(976nm)等需要精密波长控制的领域具有不可替代性,其窄线宽特性(1MHz)较普通激光器提升两个数量级。
2、核心特点
基于亚纳米精度布拉格光栅(周期误差±0.5nm)和应变补偿量子阱结构,实现超高单模纯度(边模抑制比>55dB)和超窄线宽(达100kHz),在原子光谱精密锁定(如Rb 780.24nm±1MHz)、生物医学(808nm组织优化)和工业传感等需要极致光谱特性的领域具有绝对技术统治力,其波长稳定性(±0.005nm/℃)较普通激光器提升两个数量级,代表着半导体激光器光谱精度的最高水平。
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