
870-900nmVCSEL二极管
1、基本定义
基于GaAs/AlGaAs材料体系的垂直腔面发射激光器,工作在近红外波段,具有高效率(30-50%)、中等功率(10-50mW)和良好热稳定性,主要应用于工业传感、医疗设备和特定通信场景,是介于传统850nm和长波长VCSEL之间的过渡波段解决方案。
2、核心特点
采用优化AlGaAs量子阱结构实现近红外发射,兼具高电光效率(30-50%)、优异热稳定性和10-50mW中等功率输出,特别适用于对波长有特殊要求的工业传感和医疗检测应用,其波长特性填补了传统850nm与长波长VCSEL之间的应用空白。
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894.6nm VCSEL单模垂直腔面发射激光器 GaAs 低功耗芯片0.2mW
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VCSEL单模垂直腔面发射激光器 GaAs 低功耗芯片 894.6nm 0.2mW (Ta=60±10°C)
V00140-Group1
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