870-900nmVCSEL二极管
筱晓光子推出的870-900nmVCSEL二极管,基于GaAs/AlGaAs材料体系的垂直腔面发射激光器,工作在近红外波段,具有高效率(30-50%)、中等功率(10-50mW)和良好热稳定性,主要应用于工业传感、医疗设备和特定通信场景,是介于传统850nm和长波长VCSEL之间的过渡波段解决方案。
采用优化AlGaAs量子阱结构实现近红外发射,兼具高电光效率(30-50%)、优异热稳定性和10-50mW中等功率输出,特别适用于对波长有特殊要求的工业传感和医疗检测应用,其波长特性填补了传统850nm与长波长VCSEL之间的应用空白。
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894.6nm VCSEL单模垂直腔面发射激光器 GaAs 低功耗芯片0.2mW
垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。
产品信息产品型号 中心波长 操作
VCSEL单模垂直腔面发射激光器 GaAs 低功耗芯片 894.6nm 0.2mW (Ta=60±10°C)
MP-VSC-894.6-0.2-DIE1-SM
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