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Si硅偏压探测器

概述

1、基本定义

通过施加反向偏压(通常5-100V)提升硅PN结响应速度的器件,利用强电场加速载流子渡越,适用于脉冲激光测距和时间分辨光谱测量。

2、核心特点

快速响应(纳秒级)与高线性度,但偏压升高会导致暗电流增加(trade-off设计)。

Sherry

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200-1100nm常规型硅偏压光电探测器

筱晓光子的常规型硅偏压光电探测器感光范围覆盖200nm~1100nm,噪声极低,响应快,无增益,成本低,适用于常规光电探测应用,性能卓越,性价比高,提供全方位技术支持,常应用于紫外与可见光测量。

产品信息产品型号 材料感光范围感光尺寸上升时间 操作

200-1100nm常规型常规型硅偏压光电探测器Φ1.0mm PDSBC2B10 200-1100nmΦ1.0mm1ns 加入询价单

350-1100nm硅偏压光电探测器Φ3.6mm PDSBC3E36 350-1100nmΦ3.6mm14ns 加入询价单

320-1100nm常规型硅偏压光电探测器Φ10.0mm PDSBC3D100 320-1100nmΦ10.0mm35ns 加入询价单

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400-1100nm高速型硅偏压光电探测器

筱晓光子的高速型硅偏压光电探测器感光范围覆盖400nm~1100nm,噪声极低,响应快,无增益,成本低,适用于常规光电探测应用,性能卓越,性价比高,提供全方位技术支持,常应用于可见光与红外光测量。

产品信息产品型号 材料感光范围感光尺寸上升时间输入耦合方式 操作

400-1100nm高速型硅偏压光电探测器150ps 窗片 PDSBH2W 400-1100nmΦ250um150ps窗片 加入询价单

400-1100nm高速型硅偏压光电探测器150ps 球透镜 PDSBH2L 400-1100nmΦ250um150ps球透镜 加入询价单

400-1100nm高速型硅偏压光电探测器150ps FC/PC光纤座 PDSBH2P 400-1100nmΦ250um150psFC/PC光纤座 加入询价单

400-1100nm高速型硅偏压光电探测器1ns FC/PC光纤座 PDSBH1P 400-1100nmΦ250um1nsFC/PC光纤座 加入询价单

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高速光电探测器

以 GHz 级速度、跨越可见光和近红外的波长以及极低的噪声等效功率 (NEP) 监控激光的脉冲能量和/或脉冲形状。BNC 输出连接器。

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美国 EOT 高速光电探测器(InGaAs) 830nm

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量

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