750-830nmVCSEL二极管
筱晓光子推出的750-830nmVCSEL二极管，基于成熟的GaAs/AlGaAs材料体系。兼具良好的性能与可靠性。在通信、传感等领域具有关键应用价值。持续向更高功率、更高速率方向发展。
基于高度成熟的GaAs/AlGaAs材料体系。兼具高效率、高可靠性和低成本优势。在通信、传感领域占据主导地位。正向更高功率、更高速率方向发展。
Daisy
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760-794.7nm SM VCSEL激光器 带TEC TO封装
是一款采用金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。芯片采用 TO39 金属管壳封装，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐，封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD）。
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760nm 单模VCSEL激光器
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794.7nm单模VCSEL发射激光器
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763nm 单模VCSEL激光器
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763nm 单模VCSEL激光器
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760nm 单模VCSEL激光器
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763nm 单模VCSEL激光器 （不带TEC,适用于氧气传感）
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760-763nm 单模 不带半导体制冷器的垂直腔面发射激光器，用于氧气传感
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760nm 单模VCSEL激光器
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794.7nm单模VCSEL发射激光器
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760nm 单模VCSEL激光器
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763nm 单模VCSEL激光器 （不带TEC,适用于氧气传感）
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760-763nm 单模 不带半导体制冷器的垂直腔面发射激光器，用于氧气传感
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是一款垂直出光的、通过金属有机气相外延（MOVPE）方法生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。其芯片采用 TO5 封装。可通过调节激光电流和温度来实现波长调谐。该激光器内置半导体制冷器（TEC）和光电探测器（PD），是专为可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）应用而特别设计的。凭借窄线宽特性以及搭配半导体制冷器所实现的宽调谐范围，它成为铷原子光谱 D1 跃迁研究中一款性价比颇高的选择。
795nm单模VCSEL发射激光器
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795nmVCSEL发射激光器
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