750-830nmVCSEL二极管
筱晓光子推出的750-830nmVCSEL二极管，基于成熟的GaAs/AlGaAs材料体系。兼具良好的性能与可靠性。在通信、传感等领域具有关键应用价值。持续向更高功率、更高速率方向发展。
基于高度成熟的GaAs/AlGaAs材料体系。兼具高效率、高可靠性和低成本优势。在通信、传感领域占据主导地位。正向更高功率、更高速率方向发展。
Daisy
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760nm Philips单模VCSEL激光器 1mW TDLAS氧气专用
760nm Philips单模VCSEL激光器不仅仅是一个光源，它是一个经过验证的、针对氧气检测的“交钥匙工程”核心组件。 它完美地结合了波长特异性、出色的调谐性能和商业化的可靠性，使得高性能、低成本的氧气传感技术在工业、医疗和环境领域得以广泛应用。
产品信息产品型号 波长 操作
单模VCSEL激光器(760nm 1mW 光谱带宽100MHz)|氧气检测
MP-VCS-760-1-TO8-SM-TEC
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产品信息产品型号 波长 操作
单模VCSEL激光二极管(760nm 0.3mW TO39)|光纤通信
MP-VCS-760-0.3-TO39-SM-TEC
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763±1nm Philips窄线宽单模VCSEL激光器 1mW
763±1nm Philips窄线宽单模VCSEL激光器绝非通用光源，而是通往钾原子量子世界的“专属钥匙”。 其极致的性能参数是为满足原子系统对光场“纯度”和“稳定性”的极端要求而设计的，是推动量子技术进步的战略性元器件。
产品信息产品型号 波长 操作
窄线宽单模VCSEL激光器(763±1nm 1mW 光谱带宽100MHz)|氧气检测
MP-VCS-763-1-TO8-SM-TEC
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产品信息产品型号 中心波长 操作
GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group5 Ta=100±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE5-SM
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group4 Ta=90±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE4-SM
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group2 Ta=70±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE2-SM
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group1 Ta=60±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE1-SM
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group3 Ta=80±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE3-SM
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group5 Ta=100±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE5-SM
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group4 Ta=90±10°C)
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group2 Ta=70±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE2-SM
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group1 Ta=60±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE1-SM
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group3 Ta=80±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE3-SM
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“这是一款中功率、蝶形封装、模拟控制的795nm垂直腔面发射激光器。它内部集成了一个热电制冷器和一个负温度系数热敏电阻，构成完整的温度控制回路，能够将芯片温度稳定在±0.01°C的范围内。这种精密温控确保了激光波长能够精确锁定在铷原子D1线（~794.98nm）附近，并且通过电流调谐可以覆盖其超精细结构。
产品信息产品型号 中心波长 操作
带制冷VCSEL激光二极管(795nm 0.1mW)|光纤通信
MP-VCS-795-0.1-TO46-TEC
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760-794.7nm SM VCSEL激光器 带TEC TO封装
是一款采用金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。芯片采用 TO39 金属管壳封装，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐，封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD）。
产品信息产品型号 中心波长 操作
760nm 单模VCSEL激光器
MP-VCS-760-0.5-A81-TO39-SM-TEC
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794.7nm单模VCSEL发射激光器
MP-VCS-794.7-0.5-A81-TO5-SM-TEC
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763nm 单模VCSEL激光器
MP-VCS-763-0.5-A82-TO39-SM-TEC
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763nm 单模VCSEL激光器
MP-VCS-763-0.5-A81-TO39-SM-TEC
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760nm 单模VCSEL激光器
MP-VCS-760-0.5-A82-TO39-SM-TEC
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763nm 单模VCSEL激光器 （不带TEC,适用于氧气传感）
MP-VCS-763-0.5-A82-TO46-SM
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760-763nm 单模 不带半导体制冷器的垂直腔面发射激光器，用于氧气传感
MP-VCS-760-0.5-A82-TO46-SM
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760nm 单模VCSEL激光器
MP-VCS-760-0.5-A81-TO39-SM-TEC
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794.7nm单模VCSEL发射激光器
MP-VCS-794.7-0.5-A81-TO5-SM-TEC
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763nm 单模VCSEL激光器
MP-VCS-763-0.5-A82-TO39-SM-TEC
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763nm 单模VCSEL激光器
MP-VCS-763-0.5-A81-TO39-SM-TEC
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760nm 单模VCSEL激光器
MP-VCS-760-0.5-A82-TO39-SM-TEC
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763nm 单模VCSEL激光器 （不带TEC,适用于氧气传感）
MP-VCS-763-0.5-A82-TO46-SM
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760-763nm 单模 不带半导体制冷器的垂直腔面发射激光器，用于氧气传感
MP-VCS-760-0.5-A82-TO46-SM
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是一款垂直出光的、通过金属有机气相外延（MOVPE）方法生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。其芯片采用 TO5 封装。可通过调节激光电流和温度来实现波长调谐。该激光器内置半导体制冷器（TEC）和光电探测器（PD），是专为可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）应用而特别设计的。凭借窄线宽特性以及搭配半导体制冷器所实现的宽调谐范围，它成为铷原子光谱 D1 跃迁研究中一款性价比颇高的选择。
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795nm单模VCSEL发射激光器
MP-VCS-795-0.5-A81-TO46-SM-TEC
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795nmVCSEL发射激光器
MP-VCS-795-0.2-14BF-SA-TEC
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795nm TO46 封装带半导体制冷器的垂直腔面发射激光器（高功率版本）
MP-VCS-795-1.2-A81-TO46-PM-TEC
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