近红外LED二极管
筱晓光子推出的近红外LED二极管，基于III-V族化合物（如GaAs/AlGaAs、InGaAs/InP）的半导体发光器件，通过能带工程调控发射波长（700-2500nm），在850nm、940nm和1300nm等波段实现高功率（100mW-1W）和高效率（>50%），其创新的"量子阱结构"和"衬底剥离技术"将辐射强度提升至传统器件的3倍，成为夜视照明、生物传感及光通信领域的关键光源。
采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/InP应变补偿量子阱结构，通过精确的能带设计（波长精度±2nm）实现700-2500nm全波段覆盖，在850nm（300mW）、940nm（500mW）和1300nm（200mW）波段分别突破60%的电光转换效率，其创新的"倒装芯片+微透镜阵列"技术将辐射强度提升至500mW/sr，在生物医学成像（穿透深度>5cm）、夜视系统（探测距离1km）及光通信（2.5Gbps）三大领域同步实现性能突破，重新定义了近红外光源的应用边界。
Daisy
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红外发射器系列专为需要高输出以及精确光轴/机械轴对准的应用而设计。可提供定制封装解决方案及分选服务。
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810nm 红外LED二极管
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780nm 红外LED二极管
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856nm 红外LED二极管
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880nm 红外LED二极管
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870nm 红外LED二极管
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945nm 红外LED二极管
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950nm 近红外LED二极管
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