1、基本定义

基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的近红外探测模块，工作波段覆盖800-1700nm，尤其擅长1310nm光纤通信窗口的高速信号接收。其结构通常集成GaAs PIN二极管与低噪声放大器，用于激光雷达和光通信的短距传输。

2、核心特点

近红外高量子效率（＞60%@1300nm）与快速响应（ps级），但需温控抑制暗电流漂移。