首页 半导体二极管 SLD二极管 1600-1700nm SLD二极管

1600-1700nm SLD二极管

概述

1、基本定义

基于InGaAs/InGaAsP材料体系的超宽带光源,采用应变补偿量子阱与双锥形波导结构实现200-400nm光谱宽度和30-100mW输出功率,在1625nm光纤监控、1650nm分子光谱检测及1675nm材料分析等超长波应用中,展现出<75%的偏振度和-130dB/Hz的噪声特性,其创新的"光栅辅助光谱滤波"技术将边模抑制比提升至45dB,成为太赫兹前传与特殊分子检测领域的高性能宽谱光源解决方案。

2、核心特点

采用InGaAs/InGaAsP应变补偿量子阱与双锥形波导结构,实现250-500nm超宽光谱和40-120mW功率输出的突破性组合,在1625.5nm光纤健康监测(0.001dB/km灵敏度)、1650.8nm分子指纹识别及1675nm聚合物检测三大前沿应用中,其创新的"可编程光子晶体滤波"技术将边模抑制比提升至50dB,同时保持-128dB/Hz的极低噪声特性,重新定义了超长波宽谱光源在太赫兹通信与生化检测领域的性能基准。

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1650nm SLD保偏激光二极管 10mW(Anristsu)

AS6B118GM50M是1.65nmSLD(超级发光二极管)模块,用于各种光学测量的非相干光源。该激光器从PMF(保偏光纤)发射具有宽光谱和高输出功率的非相干光。

产品信息产品型号 中心波长输出功率封装类型 操作

1650nm SLD保偏激光二极管 10mW(Anristsu) AS6B118GM50M 1650nm10mWFC/PC 加入询价单

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1690nm SLD激光器 10mW(Denselight)

DenseLight DL-CS69M5A系列是一种以固有的超辐射发光模式运行的宽带SLD.这种超辐射发光特性可以在更高的电流驱动下产生更宽的光谱带宽,而其他传统的基于ASE的SLED在更高的电流驱动下会产生更窄的光谱带宽。其低相干性降低了瑞利后向散射噪声。再加上高功率和大谱宽,它抵消了光接收器噪声,提高了空间分辨率(OCT)和测量灵敏度(传感器)。这款1690nmSLED 是14引脚蝶形封装。它符合Bellcore文件GR-468-CORE的要求。

产品信息产品型号 中心波长输出功率 操作

1690nm SLD激光器 10mW(Denselight) DL-CS69M5A 1690nm10mW 加入询价单

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1600nm SLD激光器 5mW(Denselight)

DenseLight DL-CS6055A系列是一种以固有的超辐射发光模式运行的宽带SLD.这种超辐射发光特性可以在更高的电流驱动下产生更宽的光谱带宽,而其他传统的基于ASE的SLED在更高的电流驱动下会产生更窄的光谱带宽。其低相干性降低了瑞利后向散射噪声。再加上高功率和大谱宽,它抵消了光接收器噪声,提高了空间分辨率(OCT)和测量灵敏度(传感器)。这款1600nmSLED 是14引脚蝶形封装。它符合Bellcore文件GR-468-CORE的要求。

产品信息产品型号 中心波长输出功率 操作

1600nm SLD激光器 5mW(Denselight) DL-CS6055A 1600nm5mW 加入询价单

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