1、基本定义

一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的光电器件，通过砷化镓（GaAs）的窄带隙特性实现800-1700nm波段（近红外至短波红外）的高效光信号探测与电信号转换。

2、核心特点

近红外波段（800-1700nm）的高量子效率（＞60%@1300nm）与超快响应（ps级），通过Ⅲ-Ⅴ族半导体特性实现高速光通信和弱光探测，但需主动温控抑制暗电流漂移。