首页 半导体二极管 VCSEL二极管 830-870nmVCSEL二极管

830-870nmVCSEL二极管

概述

筱晓光子推出的830-870nmVCSEL二极管,基于GaAs/AlGaAs材料体系的垂直腔面发射激光二极管,具有高效率(35-55%)、高调制带宽(5-30GHz)和优异可靠性等特点,主要应用于高速光通信(850nm窗口)、3D传感和工业检测等领域,是近红外波段的核心光源解决方案。

采用成熟的GaAs/AlGaAs材料体系,具有高效率(35-55%电光转换)、高调制带宽(5-30GHz)和优异热稳定性,适用于高速光通信和3D传感应用,兼具低阈值电流(0.8-3mA)和高功率输出(10-100mW)的优异性能。

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850±10nm单模VCSEL激光器 1mW

“850±10nm单模VCSEL激光器 1mW” 是一款工作在近红外850nm波段、输出功率为1毫瓦的垂直腔面发射激光器。它的核心价值在于其单横模输出特性,提供了优异的光束质量和稳定的光场分布。这款器件结合了VCSEL固有的低功耗、高可靠性和易于集成的优点,使其成为高速短距离数据通信(如多模光纤光模块)、高精度传感(如3D感知、接近感应)以及其他需要小型化、低成本、高质量近红外光源应用的理想选择。

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850nm 蝶形高速调制VCSEL激光器 0.1mW 保偏输出

这个蝶形封装的850nm VCSEL代表了一个在速度、稳定性和偏振控制方面高度优化的激光器类别,是现代信息基础设施的关键组件。

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850nm单模VCSEL激光器TO46 2mW

850nm单模VCSEL激光器(TO-46封装,2mW)是一款定位清晰的“基础型”激光组件。 它并非追求高性能,而是在性能、可靠性和成本之间取得了完美的平衡。

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852nm Philips 单模VCSEL激光器 1mW

“852nm Philips 单模VCSEL激光器 1mW” 是一款高度专业化的垂直腔面发射激光器。其核心价值在于其精确的852nm输出波长,该波长与铯原子的D2线共振,使其成为构建小型化铯原子钟、量子传感器和精密测量系统的理想光源。

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