1、基本定义

基于InGaAs/GaAs材料体系的近红外光放大器，采用应变补偿量子阱和锥形波导结构实现18-28dB增益与50-200mW饱和输出，在850nm数据中心光互连、940nm激光医疗及980nm光纤放大等应用中展现出<5dB噪声系数和80nm增益带宽的优异特性，其创新的"梯度电流注入"技术将增益波动抑制至±0.8dB，成为高功率近红外光信号放大的核心器件。

2、核心特点

采用InGaAs/GaAs应变补偿量子阱与锥形放大波导结构，实现30dB超高增益和±0.5dB增益平坦度的突破性组合，在850nm硅光互连（28Gbps传输）、940nm手术激光（功率稳定性<0.1%）及976nm光纤放大器（噪声指数<4dB）三大高端应用中，其创新的"多段式电流自适应"技术将增益带宽扩展至100nm，同时保持-150dB/Hz的超低相对强度噪声，重新定义了近红外光放大的性能标杆。