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InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片

概述

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2.5-10Gbps InGaAs APD Chip

主要应用于骨干网、城域网、数据中心互联等场景，可满足400Gbps及以上大容量光传输系统的需求。

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2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um 无 加入询价单

2.5Gbps InGaAs APD Chip φ50um 无 加入询价单

10Gbps InGaAs APD Chip for OLT φ32um 无 加入询价单

10Gbps InGaAs APD Chip φ40um 无 加入询价单

2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um 无 加入询价单

2.5Gbps InGaAs APD Chip φ50um 无 加入询价单

10Gbps InGaAs APD Chip for OLT φ32um 无 加入询价单

10Gbps InGaAs APD Chip φ40um 无 加入询价单

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25-50Gbps APD Chip

25-50Gbps APD芯片是一个高度专业化的市场，目前绝对的主流是基于InGaAs/InP材料的SACM结构APD，并以与TIA集成的接收器组件形式存在。它们根据不同的传输距离和系统需求，在带宽、灵敏度和成本之间进行权衡。随着数据流量的持续爆炸式增长，对更高速率（如100Gbaud PAM4）、更高性能APD的需求将不断推动材料科学和半导体工艺的进步。

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25Gbps InGaAs APD Chip φ16um 无 加入询价单

50Gbps56Gbaud APD Chip 无 加入询价单

25Gbps InGaAs APD Chip φ16um 无 加入询价单

50Gbps56Gbaud APD Chip 无 加入询价单

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80-200-500um APD Chip For LiDAR

Ø80-200-500μm这个范围覆盖了从短距消费级到长距工业级的全系列LiDAR应用。 其中，Ø150-200μm的Si-APD在性能、成本和供应链成熟度上取得了最佳平衡，是目前车载及工业LiDAR领域当之无愧的主力军。

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200um InGaAs APD Chip φ200um 无 加入询价单

500um InGaAs APD Chip φ500um 无 加入询价单

200um InGaAs APD Chip φ200um 无 加入询价单

500um InGaAs APD Chip φ500um 无 加入询价单

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InGaAs SPAD Chip For LiDAR

InGaAs SPAD芯片是LiDAR技术皇冠上的明珠，专为攻克“超长距离”和“恶劣环境下的可靠性”两大难题而生。

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High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um 无 加入询价单

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