筱晓光子推出的Si硅放大探测器，将硅PIN光电二极管与跨阻放大器（TIA）单片集成的器件，通过半导体工艺在可见光波段（400-1100nm）实现光电流至电压信号的高增益转换。其典型应用包括光谱分析、激光测距及消费电子中的环境光传感。

可见光波段（400-1100nm）高增益（106V/A）与低暗电流（＜1pA），成本低但红外不敏感。

筱晓光子推出的GaAs砷化镓放大探测器，基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的近红外探测模块，工作波段覆盖800-1700nm，尤其擅长1310nm光纤通信窗口的高速信号接收。其结构通常集成GaAs PIN二极管与低噪声放大器，用于激光雷达和光通信的短距传输。

近红外高量子效率（＞60%@1300nm）与快速响应（ps级），但需温控抑制暗电流漂移。

筱晓光子推出的InGaAs铟镓砷放大探测器，扩展至短波红外（SWIR，900-2600nm）的高灵敏度器件，通过调节铟镓砷组分优化1.55μm通信波段的探测率。其APD版本可提供雪崩增益，适用于单光子计数和量子通信的超弱光检测。

宽红外响应与雪崩增益（APD版），探测率＞10¹² Jones，但需制冷维持pA级暗电流。

筱晓光子推出的Ge锗放大探测器，利用锗材料窄带隙特性的近红外探测器（800-1800nm），作为经济型解决方案替代部分InGaAs应用。其结构通常为PN结或PIN二极管，适用于低成本的工业传感和实验室光功率监测。

高吸收系数与低成本，但暗电流（μA级）和温度敏感性需额外补偿电路。

筱晓光子推出的InAs砷化铟放大探测器，针对中红外（1-3.8μm）分子指纹区设计的窄带隙器件，通过深制冷（77K）实现超低暗电流，用于气体成分分析和军事红外制导。

3μm波段超高探测率（＞10¹¹ Jones），但依赖液氮制冷（77K）压制本征噪声。

筱晓光子推出的InAsSb铟砷锑放大探测器，通过调节砷锑组分覆盖3-12μm中长波红外的可调探测器，部分型号支持热电制冷（-40°C）工作，平衡性能与功耗。其应用涵盖工业热成像和火灾预警系统。

8-14μm大气窗口高探测率（＞10¹⁰ Jones），部分型号可无需制冷，替代HgCdTe的潜力方案。

筱晓光子推出的MCT碲镉汞放大探测器，通过调节HgCdTe组分实现1-30μm全红外覆盖的高端探测器，需斯特林制冷机维持77K工作温度。其设计针对天文观测和军事目标的极限弱光探测，如卫星遥感和导弹寻的。

背景限探测（BLIP）与10μm NETD＜5mK，但需复杂工艺和斯特林制冷机配合。