首页 半导体二极管 SLD二极管 650-1000nm SLD二极管

650-1000nm SLD二极管

概述

1、基本定义

基于AlGaInP/GaAs和InGaAs/GaAs材料体系的宽谱光源,采用特殊波导结构实现40-100nm光谱宽度和10-50mW输出功率,在680nm OCT医学成像、850nm光纤传感及940nm工业检测等应用中展现出优异的空间相干性和低时间相干性,其创新的"锥形放大器"结构将功率提升3倍,成为低相干光学测量的核心光源解决方案。

2、核心特点

采用AlGaInP/GaAs和InGaAs/GaAs量子阱与锥形放大波导结构,实现50-120nm超宽光谱和20-80mW高功率输出的独特组合,在685nm眼科OCT(轴向分辨率<5μm)、850nm光纤陀螺(精度0.001°/h)及940nm工业检测三大低相干应用中,其创新的"混沌光子注入"技术将相对强度噪声压制至-150dB/Hz,重新定义了宽谱光源在精密测量中的性能边界。

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840nm SLD激光器 Anritsu

SLD(超辐射发光二极管/SLED)光源提供与激光二极管等效的输出功率和与LED(发光二极管)等效的宽振荡光谱宽度,以及低相干度。由于它发射的光具有相当于激光二极管的窄有源层,因此非常适合进入光纤,并且具有介于LD和LED之间的特性。AS8B系列是为光学相干层析成像(OCT)光源和非相干光学测量设备开发的超发光二极管(SLD)模块。

产品信息产品型号 中心波长光谱宽度光功率 操作

840nm SLD激光二极管 Anritsu AS8B115L240M 840nm50nm5mW 加入询价单

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