Ge锗光电二极管
1、基本定义
一种基于锗半导体材料的光电器件，利用其窄带隙特性实现800-1800nm近红外波段的光信号探测与电信号转换，尤其适用于低成本红外传感应用。
2、核心特点
宽谱近红外响应（800-1800nm）与高吸收效率，凭借锗材料本征吸收特性实现低成本红外探测，但受限于μA级暗电流和温度敏感性，需配合补偿电路使用。
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锗 Ge 大光敏面PIN光电二极管 近红外 800-1800nm
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
产品信息产品型号 光谱响应范围光敏面直径响应度 操作
Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）
GE-10X10-TO9
800-1800nm10mm@1550nm 0.85 A/W 加入询价单
Ge 锗 大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 5mm）
GE-5X5-TO8
800-1800nm5mm@1550nm 0.85 A/W 加入询价单
10mm Ge大光敏面探测器（BNC接口输出）
GE-10X10-BNC
800-1700nm10mm@1550nm 0.85 A/W 加入询价单
Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）
GE-10X10-TO9
800-1800nm10mm@1550nm 0.85 A/W 加入询价单
Ge 锗 大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 5mm）
GE-5X5-TO8
800-1800nm5mm@1550nm 0.85 A/W 加入询价单
10mm Ge大光敏面探测器（BNC接口输出）
GE-10X10-BNC
800-1700nm10mm@1550nm 0.85 A/W 加入询价单
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